溶液结晶中L-丙氨酸晶体生长过程的分子模拟
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 缩略词表 | 第13-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-17页 |
| ·研究背景 | 第14-15页 |
| ·研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 文献综述 | 第17-38页 |
| ·结晶技术的应用 | 第17页 |
| ·晶体生长理论 | 第17-21页 |
| ·晶体的平衡生长理论 | 第18页 |
| ·晶体的界面生长理论 | 第18-20页 |
| ·负离子配位多面体生长基元模型 | 第20-21页 |
| ·分子模拟技术 | 第21-23页 |
| ·量子力学 | 第21页 |
| ·分子力学 | 第21-23页 |
| ·分子动力学 | 第23页 |
| ·分子模拟技术在晶体生长中的应用 | 第23-35页 |
| ·晶体生长的溶剂化效应 | 第23-28页 |
| ·晶体生长的杂质效应 | 第28-34页 |
| ·晶体生长基元的预测 | 第34-35页 |
| ·实验体系——L-丙氨酸 | 第35-36页 |
| ·计算软件Materials Studio介绍 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 实验方法 | 第38-42页 |
| ·杂质的选择 | 第38页 |
| ·原料与仪器 | 第38页 |
| ·实验内容 | 第38-40页 |
| ·单晶培养 | 第38-39页 |
| ·过饱和度实验 | 第39-40页 |
| ·杂质影响 | 第40页 |
| ·晶面指数的测定 | 第40-42页 |
| 第4章 力场选择与晶体分析 | 第42-57页 |
| ·引言 | 第42-44页 |
| ·计算方法和模型 | 第44-46页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第46-56页 |
| ·晶体分子结构与力场的关系 | 第46-49页 |
| ·晶格能计算 | 第49-50页 |
| ·晶体结构中非键作用及PBC链分析 | 第50-55页 |
| ·晶习预测 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 L-丙氨酸纯溶液结晶形态及模型预测 | 第57-76页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·计算方法与模型 | 第58-62页 |
| ·溶剂化界面的热力学分析 | 第58-59页 |
| ·溶剂化界面的动力学分析 | 第59-60页 |
| ·计算方法 | 第60-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-74页 |
| ·L-丙氨酸晶体的纯溶液生长形态 | 第62-63页 |
| ·单溶剂分子吸附结构分析 | 第63-65页 |
| ·晶体界面的溶剂化分析 | 第65-71页 |
| ·溶剂化界面处溶质吸附动力学分析 | 第71-73页 |
| ·L-丙氨酸生长形态的预测分析 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第6章 L-丙氨酸生长基元的溶剂化效应 | 第76-88页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·计算方法和模型 | 第77-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-87页 |
| ·生长基元的存在形式 | 第78-82页 |
| ·生长基元的演变 | 第82-84页 |
| ·生长基元演变对生长速率的影响 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第7章 低浓度杂质对晶体生长的影响 | 第88-101页 |
| ·引言 | 第88-89页 |
| ·计算方法和模型 | 第89-90页 |
| ·结果与讨论 | 第90-99页 |
| ·低浓度杂质溶液中L-丙氨酸晶面的生长行为 | 第90-91页 |
| ·添加剂分子的嵌入性分析 | 第91页 |
| ·杂质效应的经典模型预测 | 第91-94页 |
| ·杂质效应的新模型分析 | 第94-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 第8章 高浓度杂质对晶体生长的影响 | 第101-112页 |
| ·引言 | 第101-103页 |
| ·计算方法和模型 | 第103页 |
| ·结果与讨论 | 第103-110页 |
| ·高浓度杂质对L-丙氨酸晶面生长的影响 | 第103-104页 |
| ·添加剂效应的模型预测 | 第104-106页 |
| ·溶剂对溶质界面扩散的影响 | 第106-108页 |
| ·表面扩散控制的晶面生长分析 | 第108-110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 第9章 全文总结 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 附录 | 第134页 |
