| 内容提要 | 第1-5页 |
| 中文摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-37页 |
| ·纳米材料简介及发展 | 第17-21页 |
| ·纳米科技的提出和发展 | 第17-18页 |
| ·纳米材料的基本类别 | 第18页 |
| ·纳米材料的特性 | 第18-20页 |
| ·纳米材料的制备 | 第20-21页 |
| ·稀磁半导体 | 第21-25页 |
| ·稀磁半导体背景研究 | 第21-22页 |
| ·稀磁半导体的性能 | 第22-23页 |
| ·稀磁半导体的磁性理论 | 第23-25页 |
| ·III 族氮化物基稀磁半导体的背景研究 | 第25-34页 |
| ·AlN 纳米材料的基本结构和性质 | 第26-29页 |
| ·GaN 纳米材料的结构和性质 | 第29-31页 |
| ·III 族氮化物基稀磁半导体的研究进展 | 第31-34页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第34-35页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第35-37页 |
| 第二章 AlN:Co 纳米结构的制备和表征 | 第37-55页 |
| ·实验原理和装置 | 第37-39页 |
| ·实验原理 | 第37-38页 |
| ·实验设备的组成 | 第38-39页 |
| ·实验过程 | 第39页 |
| ·表征和测试方法 | 第39页 |
| ·AlN:Co 纳米线结构的制备及表征 | 第39-45页 |
| ·样品的制备 | 第39-40页 |
| ·AIN:Co 纳米线的 XRD 谱图 | 第40页 |
| ·AIN:Co 纳米线的形貌分析 | 第40-42页 |
| ·AIN:Co 纳米线的拉曼光谱 | 第42-43页 |
| ·AIN:Co 纳米线的光致发光光谱分析 | 第43页 |
| ·样品的磁性分析 | 第43-44页 |
| ·样品的生长机制 | 第44-45页 |
| ·AIN:Co 树枝状结构的制备及表征 | 第45-48页 |
| ·样品的制备 | 第45页 |
| ·AIN:Co 树枝状结构的 XRD 谱图 | 第45-46页 |
| ·AIN:Co 树枝状结构的形貌分析 | 第46-47页 |
| ·样品的磁性分析 | 第47页 |
| ·样品的生长机制 | 第47-48页 |
| ·AIN:Co 梳状结构的制备 | 第48-51页 |
| ·样品的制备 | 第48页 |
| ·AIN:Co 梳状结构的 XRD 谱图 | 第48-49页 |
| ·AIN:Co 梳状结构的形貌 | 第49-50页 |
| ·样品的磁性分析 | 第50页 |
| ·样品的生长机制分析 | 第50-51页 |
| ·AIN:Co 纳米结构的制备 | 第51-54页 |
| ·样品的制备 | 第51页 |
| ·AIN:Co 纳米结构的 XRD 图谱 | 第51-52页 |
| ·AIN:Co 纳米结构的形貌 | 第52-53页 |
| ·AIN:Co 纳米六重结构的磁性分析 | 第53页 |
| ·AIN:Co 六重纳米结构的生长机制 | 第53-54页 |
| ·本章小节 | 第54-55页 |
| 第三章 AlN:Mg 纳米结构的制备和表征 | 第55-77页 |
| ·AlN :Mg 纳米线的制备及表征 | 第56-66页 |
| ·样品的制备 | 第56页 |
| ·AIN:Mg 纳米线的 XRD 图谱 40 | 第56-57页 |
| ·AIN:Mg 纳米线的形貌分析 | 第57-58页 |
| ·AIN:Mg 纳米线的拉曼光谱 | 第58-59页 |
| ·AIN:Mg 纳米线的磁性测量 | 第59-60页 |
| ·AIN:Mg 纳米线的磁性机制分析 | 第60-62页 |
| ·不同直径 AIN:Mg 纳米线的制备 | 第62-63页 |
| ·样品的XRD 图谱 | 第63页 |
| ·样品的形貌分析 | 第63-65页 |
| ·样品的磁性分析 | 第65页 |
| ·纳米线的生长机制分析 | 第65-66页 |
| ·M g 掺杂 AlN 纳米棒的制备及表征 | 第66-69页 |
| ·样品的制备 | 第66-67页 |
| ·样品的形貌分析 | 第67-68页 |
| ·样品的磁性分析 | 第68页 |
| ·样品的生长机制分析 | 第68-69页 |
| ·M g 掺杂 AlN 树枝状结构的制备 | 第69-72页 |
| ·样品的制备 | 第69页 |
| ·AIN:Mg 树枝状的结构 XRD 和 EDS 谱图 | 第69-70页 |
| ·样品的形貌分析 | 第70-71页 |
| ·样品的磁性 | 第71-72页 |
| ·样品的生长机制 | 第72页 |
| ·M g 掺杂 AlN 棒状结构的制备及表征 | 第72-76页 |
| ·样品的制备 | 第72-73页 |
| ·样品的 XRD 及 EDS 谱图 | 第73页 |
| ·样品的形貌分析 | 第73-75页 |
| ·样品的磁性 | 第75页 |
| ·样品的生长机制分析 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第四章 GaN:Mn 纳米材料的制备及表征 | 第77-85页 |
| ·Mn 掺杂 GaN 纳米花瓣结构 | 第78-81页 |
| ·样品的制备 | 第78-79页 |
| ·Mn 掺杂 GaN 纳米花瓣的形貌 | 第79-80页 |
| ·样品的磁性分析 | 第80-81页 |
| ·样品的生长机制 | 第81页 |
| ·Mn 掺杂 GaN 纳米颗粒 | 第81-84页 |
| ·样品的制备 | 第81-82页 |
| ·样品的形貌分析 | 第82-83页 |
| ·样品的磁性分析 | 第83-84页 |
| ·样品的生长机理 | 第84页 |
| ·本章小节 | 第84-85页 |
| 第五章 III 族氮化物基稀磁半导体纳米材料的高压研究 | 第85-101页 |
| ·高压实验装置及技术 | 第85-87页 |
| ·掺杂对材料高压物性的研究进展 | 第87-90页 |
| ·AlN:Mg 和 AlN:Co 纳米线的高压同步辐射研究 | 第90-98页 |
| ·研究背景 | 第90-92页 |
| ·样品的制备与结构表征 | 第92-94页 |
| ·高压实验方法 | 第94页 |
| ·高压 X-ray 衍射的实验结果与分析 | 第94-98页 |
| ·本章小结 | 第98-101页 |
| 第六章 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-117页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第117-119页 |
| 作者简历 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
