高压下三氧化钨和钨酸钡的电输运性质与结构研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·高压物理学简介 | 第12-13页 |
| ·高压装置及实验技术 | 第13-19页 |
| ·静态高压装置 | 第13-16页 |
| ·金刚石对顶砧实验技术 | 第16-18页 |
| ·传压介质和压力标定 | 第18-19页 |
| ·高压电学研究 | 第19-22页 |
| ·高压电学的发展 | 第19-21页 |
| ·高压电学的研究意义 | 第21-22页 |
| ·论文选题的目的和意义 | 第22-23页 |
| ·本论文各部分的主要内容 | 第23-26页 |
| 第二章 高压原位电学测量集成技术和测量方法 | 第26-42页 |
| ·金刚石对顶砧上的集成微电路 | 第26-32页 |
| ·金属钼薄膜的溅射 | 第27-28页 |
| ·金属钼薄膜的光刻过程 | 第28-29页 |
| ·Al2O_3绝缘层和保护层的制备 | 第29-31页 |
| ·成型的四电极和两电极微电路 | 第31-32页 |
| ·直流电阻率测量方法 | 第32-34页 |
| ·四探针法测量电阻率 | 第32-33页 |
| ·范德堡法测量电阻率 | 第33-34页 |
| ·交流阻抗谱测量方法 | 第34-42页 |
| ·交流阻抗谱法原理 | 第35-36页 |
| ·交流阻抗谱的表示方法 | 第36-39页 |
| ·高压交流阻抗谱的发展和应用 | 第39-42页 |
| 第三章 高压下WO_3的电输运性质与结构研究 | 第42-62页 |
| ·WO_3的研究概况 | 第42-44页 |
| ·高压下WO_3的电阻率研究 | 第44-48页 |
| ·高压下WO_3的交流阻抗谱研究 | 第48-51页 |
| ·高压下WO_3的同步辐射X射线衍射研究 | 第51-53页 |
| ·高压下纳米WO_3的电学性质研究 | 第53-59页 |
| ·高压下的纳米WO_3电阻率研究 | 第55-56页 |
| ·高压下的纳米WO_3阻抗谱研究 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-62页 |
| 第四章 高压下BaWO_4的电输运性质及结构研究 | 第62-76页 |
| ·BaWO_4的研究概况 | 第62-65页 |
| ·BaWO_4的压致晶粒电阻和晶界电阻 | 第65-69页 |
| ·BaWO_4的压致弛豫频率 | 第69-72页 |
| ·BaWO_4的压致激活能 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-92页 |
| 作者简介及科研成果 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
