安全六管静态随机访问存储器的研究与设计

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
1 绪论	第8-13页
·课题来源	第8页
·课题研究背景	第8-9页
·存储器安全问题	第9-12页
·本文研究内容和论文组织结构	第12-13页
2 SRAM 数据残留机理	第13-23页
·MOSFET 的电荷存储效应	第13-14页
·数据残留物理机理	第14-19页
·数据残留时间	第19-22页
·本章小结	第22-23页
3 安全SRAM 存储单元的设计	第23-37页
·改进结构设计思想	第23-24页
·六管存储单元设计	第24-28页
·开关管关键参数设计	第28-36页
·本章小结	第36-37页
4 SRAM 整体电路设计	第37-53页
·电路架构及时序设计	第37-40页
·关键电路模块设计	第40-50页
·整体电路仿真及版图设计	第50-52页
·本章小结	第52-53页
5 SRAM 数据残留时间测试系统	第53-62页
·测试方法	第53-54页
·测试系统控制逻辑	第54-60页
·测试系统实际验证	第60-61页
·本章小结	第61-62页
6 结论	第62-64页
致谢	第64-65页
参考文献	第65-69页
附录1 攻读硕士期间发表的论文和专利	第69页