| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-24页 |
| ·高离化态离子物理简介 | 第11-13页 |
| ·与高离化态离子相关的原子过程 | 第13-15页 |
| ·双电子复合(DR)过程 | 第15-20页 |
| ·背景知识 | 第15-16页 |
| ·物理图象 | 第16-17页 |
| ·研究意义 | 第17-18页 |
| ·研究进展 | 第18-20页 |
| ·本文的研究内容及基本结构 | 第20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 理论方法 | 第24-46页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·多组态 Dirac-Fock(MCDF)方法 | 第25-33页 |
| ·Dirac-Coulomb 哈密顿量 | 第25-26页 |
| ·相对论单电子自旋轨道 | 第26-27页 |
| ·组态波函数(CSFs) | 第27-28页 |
| ·原子态波函数(ASFs)的构造 | 第28页 |
| ·哈密顿矩阵及能量变分 | 第28-31页 |
| ·径向 Dirac 方程及求解 | 第31-33页 |
| ·对MCDF 方法的修正 | 第33-37页 |
| ·Breit 相互作用 | 第34-35页 |
| ·量子电动力学(QED)的辐射修正 | 第35-36页 |
| ·原子核有限体积效应 | 第36-37页 |
| ·电子与离子的双电子复合(DR) | 第37-42页 |
| ·电子与离子的双电子复合过程 | 第38-39页 |
| ·双电子复合截面和共振强度 | 第39-40页 |
| ·Auger 衰变率 | 第40-41页 |
| ·辐射衰变率 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第三章 C II 离子 1s-2p 内壳层光激发及其相关的退激发过程 | 第46-56页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·C II 离子的基组态及其内壳层激发态的能级结构 | 第47-49页 |
| ·C II 离子 1s 激发态的辐射和 Auger 衰变特性 | 第49-52页 |
| ·C II 离子 1s 内壳层激发态的能级线宽和寿命 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 类氢U离子双电子复合过程中的相对论和Breit效应 | 第56-64页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·相对论效应和Breit 相互作用对Auger 衰变率的影响 | 第56-58页 |
| ·KLL DR共振激发态的衰变特性、共振能量及强度 | 第58-60页 |
| ·类氢U91+离子的KLL DR 截面 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 类氦-类硼Hg 和U 离子的双电子复合过程 | 第64-74页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·高离化态H9~(75+…78+)离子的双电子复合 | 第65-70页 |
| ·高离化态U~(87+…90+)离子的双电子复合 | 第70-72页 |
| ·小结 | 第72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第六章 类氦-类碳 I 离子的双电子复合过程 | 第74-81页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·高离化态I~(47+...51+)离子的 DR 共振能和共振强度 | 第75-77页 |
| ·类氦等电子系列离子KLL DR 共振强度随Z 的变化情况 | 第77-78页 |
| ·高离化态I 离子的DR 截面比较 | 第78-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-81页 |
| 第七章 双电子复合与辐射复合之间的量子干涉效应 | 第81-95页 |
| ·引言 | 第81-85页 |
| ·理论方法简述 | 第85-88页 |
| ·投影算符法 | 第85-87页 |
| ·DR、RR 和干涉截面 | 第87-88页 |
| ·类氦Ar 和Fe 离子DR 与RR 过程之间的干涉效应 | 第88-92页 |
| ·小结 | 第92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第八章 总结与展望 | 第95-99页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 附录:攻读硕士学位期间的主要工作 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
