反应磁控溅射法制备VO2薄膜及其相变特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·V_2O_5薄膜基本性质 | 第8-9页 |
| ·VO_2相变机理与特征 | 第9-11页 |
| ·研究意义 | 第11-15页 |
| ·本论文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 反应磁控溅射制备薄膜工艺 | 第17-24页 |
| ·实验设备与原材料 | 第17页 |
| ·薄膜的制备 | 第17-22页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第22-23页 |
| ·样品测试仪器 | 第23-24页 |
| 第三章 氧化钒薄膜微观结构及物相成分分析 | 第24-43页 |
| ·XRD对薄膜晶体结构分析 | 第24-26页 |
| ·薄膜表面形貌的AFM、SEM表征 | 第26-30页 |
| ·薄膜的XPS能谱分析 | 第30-37页 |
| ·激光Raman光谱分析 | 第37-41页 |
| ·薄膜的紫外-可见-近红外光学特性 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 VO_2薄膜相变特性研究 | 第43-50页 |
| ·电阻-温度曲线测试装置 | 第43-44页 |
| ·V_2O_5薄膜的电阻-温度特性 | 第44-45页 |
| ·VO_2薄膜的电阻-温度特性 | 第45-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| ·结论 | 第50页 |
| ·有待进行的工作 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第57页 |
