| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 光催化还原背景简介 | 第9-18页 |
| 1.1.1 半导体材料光催化简介 | 第10-11页 |
| 1.1.2 光催化还原化学路径 | 第11-13页 |
| 1.1.3 光催化研究进展 | 第13-16页 |
| 1.1.4 氧化镓半导体光催化材料简介 | 第16-18页 |
| 1.2 异质结与异相结研究进展简介 | 第18-26页 |
| 1.3 影响光催化性能主要因素 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第二章 氧化镓光催化材料的制备与表征 | 第31-42页 |
| 2.1 氧化镓光催化材料的制备 | 第31-32页 |
| 2.1.1 实验原料前期准备与合成方法 | 第31-32页 |
| 2.2 实验表征方法 | 第32-41页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第32-34页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第34-35页 |
| 2.2.3 光催化评价装置 | 第35-37页 |
| 2.2.4 紫外到可见光吸收装置 | 第37-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第三章 单晶多相氧化镓半导体异相结对二氧化碳还原性能影响研究 | 第42-56页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 单晶多相氧化镓半导体表征分析 | 第42-44页 |
| 3.2.1 单晶多相氧化镓半导体XRD物相表征分析 | 第42-43页 |
| 3.2.2 单晶多相氧化镓半导体光吸收表征分析 | 第43-44页 |
| 3.3 单晶多相氧化镓半导体扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析 | 第44-55页 |
| 3.3.1 单晶多相氧化镓半导体扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第44-45页 |
| 3.3.2 单晶多相氧化镓半导体电子透射显微镜(TEM)分析 | 第45-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第四章 总结与展望 | 第56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
