| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-37页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·纳米材料概述 | 第14-16页 |
| ·准一维纳米材料及其阵列体系的研究动态 | 第16-35页 |
| ·几种典型准一维纳米结构 | 第16-17页 |
| ·一维纳米结构材料的生长机制和制备方法 | 第17-26页 |
| ·半导体纳米阵列的制备、性质及用途 | 第26-35页 |
| ·准一维纳米材料的研发方向 | 第35-36页 |
| ·本文的选题背景、研究内容及意义 | 第36-37页 |
| 第二章 CdS纳米阵列的合成及其发光性能的研究 | 第37-48页 |
| ·本章概述 | 第37-38页 |
| ·实验过程及表征手段 | 第38-39页 |
| ·实验原料及主要实验仪器 | 第38页 |
| ·实验过程 | 第38-39页 |
| ·表征手段 | 第39页 |
| ·实验结果表征分析 | 第39-46页 |
| ·CdS纳米阵列的成分分析 | 第39-40页 |
| ·CdS纳米阵列的形貌分析 | 第40-41页 |
| ·CdS纳米阵列的形成条件分析 | 第41-42页 |
| ·CdS纳米阵列的结构分析 | 第42-43页 |
| ·CdS纳米阵列的生长机理分析 | 第43-44页 |
| ·CdS纳米阵列的拉曼光谱分析 | 第44-45页 |
| ·CdS纳米阵列的光致发光图谱分析 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 CdS/CdSe核壳结构纳米线的合成与表征 | 第48-55页 |
| ·本章概述 | 第48页 |
| ·实验过程与表征手段 | 第48-50页 |
| ·实验原料及主要仪器 | 第48-49页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·表征手段 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-54页 |
| ·CdS/CdSe样品的成分分析 | 第50-51页 |
| ·CdS/CdSe的形貌分析 | 第51-52页 |
| ·CdS/CdSe核壳结构的物相、形貌及结构分析 | 第52页 |
| ·CdS/CdSe的形成机理 | 第52-53页 |
| ·CdS/CdSe的光致发光图谱分析 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 ZnS纳米棒的合成及其发光性能的研究 | 第55-64页 |
| ·本章概述 | 第55页 |
| ·实验过程与表征手段 | 第55-57页 |
| ·实验原料及主要仪器 | 第55-56页 |
| ·实验过程 | 第56页 |
| ·表征手段 | 第56-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-63页 |
| ·样品的成分分析 | 第57页 |
| ·ZnS样品的形貌分析 | 第57-58页 |
| ·ZnS样品形成条件对形貌控制分析 | 第58-60页 |
| ·ZnS样品的物相及结构分析 | 第60-61页 |
| ·ZnS纳米棒的生长机理分析 | 第61-62页 |
| ·ZnS纳米棒的紫外可见光谱分析 | 第62-63页 |
| ·ZnS纳米棒的光致发光图谱分析 | 第63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-75页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第75页 |