摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-9页 |
前言 | 第9-10页 |
1 文献综述 | 第10-21页 |
·引言 | 第10页 |
·氮化物结合碳化硅耐火材料的发展及研究现状 | 第10-15页 |
·氧氮化硅结合碳化硅耐火材料 | 第10-11页 |
·赛隆结合SiC耐火材料 | 第11-12页 |
·Si_3N_4-Fe结合SiC | 第12-13页 |
·Si_3N_4结合SiC | 第13-15页 |
·耐火材料的成型工艺 | 第15页 |
·反应烧结理论基础 | 第15-16页 |
·粉末烧结方法 | 第15-16页 |
·逆反应烧结理论 | 第16页 |
·陶瓷材料的增韧补强机理 | 第16-20页 |
·相变微裂纹增韧补强 | 第16-17页 |
·非相变第二相颗粒增韧补强 | 第17-20页 |
·应力诱导微开裂增韧 | 第17-18页 |
·残余应力场增韧 | 第18-19页 |
·裂纹偏转与裂纹桥联增韧 | 第19-20页 |
·研究内容与意义 | 第20-21页 |
·研究内容 | 第20页 |
·研究的意义 | 第20-21页 |
2 氧化烧结Si_3N_4-SiC复合材料工艺条件的确定 | 第21-37页 |
·成型条件的确定 | 第21-25页 |
·实验过程 | 第21-23页 |
·原料 | 第21页 |
·仪器与设备 | 第21页 |
·实样制备 | 第21-22页 |
·测试项目与方法 | 第22-23页 |
·结果与讨论 | 第23-25页 |
·烧成制度及Si_3N_4加入量的确定 | 第25-36页 |
·实验过程 | 第25-29页 |
·原料 | 第25-26页 |
·仪器与设备 | 第26页 |
·试样制备 | 第26-27页 |
·测试项目与方法 | 第27-29页 |
·结果与讨论 | 第29-36页 |
·烧结工艺理论研究 | 第29-30页 |
·升温速度的影响 | 第30-31页 |
·保温温度的影响(中温) | 第31-33页 |
·保温时间的影响(中温) | 第33-34页 |
·烧成温度的影响 | 第34-35页 |
·Si_3N_4加入量的确定 | 第35-36页 |
·小结 | 第36-37页 |
3 氧化烧结Si_3N_4-SiC复合材料常温和高温抗弯强度对比研究 | 第37-39页 |
·实验过程 | 第37页 |
·试样制备 | 第37页 |
·测试项目与方法 | 第37页 |
·结果与讨论 | 第37-38页 |
·小结 | 第38-39页 |
4 优化烧成制度下氧化和埋炭烧成试样的性能对比研究 | 第39-42页 |
·实验过程 | 第39页 |
·试样制备 | 第39页 |
·测试项目与方法 | 第39页 |
·结果与讨论 | 第39-41页 |
·XRD物相分析 | 第40页 |
·SEM显微结构分析 | 第40-41页 |
·小结 | 第41-42页 |
5 急冷处理对氧化烧结Si_3N_4-SiC复合材料结构与性能的影响 | 第42-45页 |
·实验过程 | 第42页 |
·试样制备 | 第42页 |
·测试项目与方法 | 第42页 |
·结果与讨论 | 第42-44页 |
·XRD物相分析 | 第43页 |
·SEM显微结构分析 | 第43-44页 |
·小结 | 第44-45页 |
6 氧化烧结Si_3N_4-SiC复合材料的抗氧化及抗热震性能研究 | 第45-50页 |
·实验过程 | 第45-46页 |
·试样制备 | 第45页 |
·测试项目与方法 | 第45-46页 |
·结果与讨论 | 第46-49页 |
·抗氧化性能 | 第46-47页 |
·抗热震性能 | 第47-49页 |
·陶瓷材料的热震机理 | 第47页 |
·结果分析 | 第47-49页 |
·小结 | 第49-50页 |
7 氧化烧结Si_3N_4-SiC复合材料的抗侵蚀性能研究 | 第50-59页 |
·实验过程 | 第50页 |
·试样制备 | 第50页 |
·测试项目与方法 | 第50页 |
·结果与讨论 | 第50-58页 |
·抗冰晶石熔体侵蚀 | 第50-53页 |
·XRD物相分析 | 第51-52页 |
·SEM显微结构分析 | 第52-53页 |
·抗铝熔体侵蚀 | 第53-54页 |
·XRD物相分析 | 第53-54页 |
·抗镁熔体侵蚀 | 第54-55页 |
·抗铜熔体侵蚀 | 第55-58页 |
·空气环境 | 第55-57页 |
·XRD物相分析 | 第55-57页 |
·SEM显微结构分析 | 第57页 |
·埋炭环境 | 第57-58页 |
·小结 | 第58-59页 |
结论 | 第59-60页 |
不足与展望 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-66页 |
附录 | 第66页 |