磁性多层膜中交换偏置和巨磁电阻效应的研究
| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| §1.1 自旋电子学的发展历程 | 第7-9页 |
| §1.2 自旋电子学的研究现状 | 第9-13页 |
| §1.2.1 GMR磁读头 | 第9-10页 |
| §1.2.2 磁性随机存储器 | 第10-12页 |
| §1.2.3 稀磁半导体 | 第12-13页 |
| §1.3 本论文的选题和研究内容 | 第13页 |
| 参考文献 | 第13-15页 |
| 第二章 薄膜的制备及其性质表征 | 第15-25页 |
| §2.1 薄膜的制备 | 第15-18页 |
| §2.1.1 辉光放电原理 | 第15-16页 |
| §2.1.2 磁控溅射技术 | 第16-17页 |
| §2.1.3 JGP560D超高真空磁控溅射仪 | 第17-18页 |
| §2.2 膜厚的测量 | 第18页 |
| §2.3 薄膜的表征 | 第18-21页 |
| §2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第18-19页 |
| §2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第19-20页 |
| §2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第20-21页 |
| §2.4 薄膜成分的测量 | 第21-22页 |
| §2.5 薄膜性能的测量 | 第22-23页 |
| §2.5.1 振动样品磁强计(VSM) | 第22-23页 |
| §2.5.2 磁电阻的测量 | 第23页 |
| 参考文献 | 第23-25页 |
| 第三章 交换偏置效应 | 第25-32页 |
| §3.1 引言 | 第25页 |
| §3.2 交换偏置的基本特征 | 第25-27页 |
| §3.2.1 铁磁层厚度的影响 | 第25-26页 |
| §3.2.2 反铁磁层厚度的影响 | 第26-27页 |
| §3.2.3 交换偏置的角度变化关系 | 第27页 |
| §3.3 交换偏置的理论模型 | 第27-31页 |
| §3.3.1 Meiklejohn-Bean模型 | 第27-29页 |
| §3.3.2 Mauri模型 | 第29-30页 |
| §3.3.3 随机场模型 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第四章 GdFe体系的正交换偏置效应 | 第32-46页 |
| §4.1 正交换偏置的研究背景 | 第32-34页 |
| §4.1.1 氟化物体系的正交换偏置 | 第33页 |
| §4.1.2 亚铁磁/亚铁磁体系的正交换偏置 | 第33-34页 |
| §4.2 GdFe/NiCoO正交换偏置 | 第34-41页 |
| §4.2.1 实验 | 第35-36页 |
| §4.2.2 实验结果 | 第36-39页 |
| §4.2.3 结果的讨论 | 第39-41页 |
| §4.3 GdFe/FeMn正交换偏置 | 第41-44页 |
| §4.3.1 实验 | 第41页 |
| §4.3.2 实验结果和讨论 | 第41-44页 |
| 参考文献: | 第44-46页 |
| 第五章 巨磁电阻 | 第46-55页 |
| §5.1 巨磁电阻效应 | 第46页 |
| §5.2 巨磁电阻效应的机理 | 第46-49页 |
| §5.2.1 等效电阻模型 | 第46-48页 |
| §5.2.2 半经典模型 | 第48-49页 |
| §5.3 Co/Cu/Co自旋阀的研究 | 第49-53页 |
| §5.3.1 Co/Cu/Co磁阻曲线 | 第50-51页 |
| §5.3.2 Cu层厚度的优化 | 第51-52页 |
| §5.3.3 GMR的温度特性 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第六章 用延迟溅射法提高巨磁电阻效应 | 第55-62页 |
| §6.1 简介 | 第55页 |
| §6.2 实验 | 第55页 |
| §6.3 实验结果 | 第55-59页 |
| §6.3.1 典型的磁阻曲线 | 第55-57页 |
| §6.3.2 微结构的分析 | 第57-59页 |
| §6.4 结果的讨论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第七章 GdCo体系的反常巨磁电阻效应 | 第62-72页 |
| §7.1 简介 | 第62-63页 |
| §7.2 实验 | 第63-64页 |
| §7.3 实验结果和讨论 | 第64-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 博士期间论文发表情况 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
