图表目录 | 第1-11页 |
摘要 | 第11-13页 |
Abstract | 第13-15页 |
第1章 绪论 | 第15-30页 |
·研究背景 | 第15-17页 |
·清洗工艺对光学基底表面粗糙度的影响 | 第17-21页 |
·清洗技术的发展阶段 | 第17-18页 |
·清洗技术的研究现状 | 第18-20页 |
·硅片清洗技术存在的问题与发展方向 | 第20页 |
·选择清洗方法应注意的问题 | 第20-21页 |
·平滑层对极紫外多层膜基底表面粗糙度影响的研究 | 第21-22页 |
·极紫外多层膜及其基底表面综合表征技术 | 第22-30页 |
第2章 清洗的基本理论和常用方法 | 第30-47页 |
·引言 | 第30页 |
·硅片的表面状态 | 第30页 |
·吸附现象与机理 | 第30-33页 |
·表面的污染及移除机制 | 第33-42页 |
·表面粘附力 | 第33-36页 |
·超声波粒子移除机制 | 第36-42页 |
·常用的清洗技术 | 第42-46页 |
·湿法化学清洗 | 第42-44页 |
·干法清洗技术 | 第44-46页 |
·小结 | 第46-47页 |
第3章 表面表征方法的理论分析与测试技术 | 第47-64页 |
·引言 | 第47-48页 |
·表面表征方法 | 第48-49页 |
·表面测试技术 | 第49-63页 |
·原子力显微镜测试技术 | 第49-57页 |
·X射线散射测试技术 | 第57-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
第4章 C平滑层对极紫外光刻用Mo/Si多层膜反射特性影响的研究 | 第64-81页 |
·平滑层对极紫外多层膜基底粗糙度影响的理论研究 | 第64-66页 |
·C平滑层的制备 | 第66-68页 |
·实验结果与分析 | 第68-80页 |
·AFM测试结果与分析 | 第68-70页 |
·AFM定域测量法 | 第70-80页 |
·定域测试方法简介 | 第70-71页 |
·测试结果与分析 | 第71-77页 |
·定域测试数据处理 | 第77-80页 |
·本章小结 | 第80-81页 |
第5章 清洗工艺对Mo/Si多层膜反射率影响的实验结果与分析 | 第81-99页 |
·引言 | 第81页 |
·粗糙度对Mo/Si多层膜反射率的影响 | 第81-82页 |
·基片清洗与样品制备 | 第82-84页 |
·超光滑硅片表面预处理方法 | 第82页 |
·Mo/Si周期膜的制备和速率标定 | 第82-83页 |
·超光滑硅片表面超声化学清洗工艺实验的优化研究 | 第83-84页 |
·原子力显微镜测试结果与分析 | 第84-86页 |
·X射线与EUV散射和反射测量结果与分析 | 第86-94页 |
·X射线与EUV散射和反射测量介绍 | 第86页 |
·不同预处理方法比较 | 第86-90页 |
·不同超声温度散射测试结果比较 | 第90-91页 |
·不同超声功率测试结果比较 | 第91-93页 |
·比较不同超声时间对于清洗效果影响 | 第93-94页 |
·普通浮法玻璃清洗实验 | 第94-98页 |
·玻璃表面的特性 | 第94-95页 |
·玻璃优化清洗工艺 | 第95-96页 |
·测试结果与分析 | 第96-98页 |
·本章小结 | 第98-99页 |
第6章 总结与展望 | 第99-101页 |
·本文研究内容 | 第99-100页 |
·本文的主要创新点 | 第100页 |
·进一步开展的工作 | 第100-101页 |
参考文献 | 第101-106页 |
致谢 | 第106-107页 |
作者简介 | 第107页 |
发表论文 | 第107-108页 |