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清洗技术和平滑层对极紫外多层膜基底粗糙度的影响及表面表征技术研究

图表目录第1-11页
摘要第11-13页
Abstract第13-15页
第1章 绪论第15-30页
   ·研究背景第15-17页
   ·清洗工艺对光学基底表面粗糙度的影响第17-21页
     ·清洗技术的发展阶段第17-18页
     ·清洗技术的研究现状第18-20页
     ·硅片清洗技术存在的问题与发展方向第20页
     ·选择清洗方法应注意的问题第20-21页
   ·平滑层对极紫外多层膜基底表面粗糙度影响的研究第21-22页
   ·极紫外多层膜及其基底表面综合表征技术第22-30页
第2章 清洗的基本理论和常用方法第30-47页
   ·引言第30页
   ·硅片的表面状态第30页
   ·吸附现象与机理第30-33页
   ·表面的污染及移除机制第33-42页
     ·表面粘附力第33-36页
     ·超声波粒子移除机制第36-42页
   ·常用的清洗技术第42-46页
     ·湿法化学清洗第42-44页
     ·干法清洗技术第44-46页
   ·小结第46-47页
第3章 表面表征方法的理论分析与测试技术第47-64页
   ·引言第47-48页
   ·表面表征方法第48-49页
   ·表面测试技术第49-63页
     ·原子力显微镜测试技术第49-57页
     ·X射线散射测试技术第57-63页
   ·本章小结第63-64页
第4章 C平滑层对极紫外光刻用Mo/Si多层膜反射特性影响的研究第64-81页
   ·平滑层对极紫外多层膜基底粗糙度影响的理论研究第64-66页
   ·C平滑层的制备第66-68页
   ·实验结果与分析第68-80页
     ·AFM测试结果与分析第68-70页
     ·AFM定域测量法第70-80页
       ·定域测试方法简介第70-71页
       ·测试结果与分析第71-77页
       ·定域测试数据处理第77-80页
   ·本章小结第80-81页
第5章 清洗工艺对Mo/Si多层膜反射率影响的实验结果与分析第81-99页
   ·引言第81页
   ·粗糙度对Mo/Si多层膜反射率的影响第81-82页
   ·基片清洗与样品制备第82-84页
     ·超光滑硅片表面预处理方法第82页
     ·Mo/Si周期膜的制备和速率标定第82-83页
     ·超光滑硅片表面超声化学清洗工艺实验的优化研究第83-84页
   ·原子力显微镜测试结果与分析第84-86页
   ·X射线与EUV散射和反射测量结果与分析第86-94页
     ·X射线与EUV散射和反射测量介绍第86页
     ·不同预处理方法比较第86-90页
     ·不同超声温度散射测试结果比较第90-91页
     ·不同超声功率测试结果比较第91-93页
     ·比较不同超声时间对于清洗效果影响第93-94页
   ·普通浮法玻璃清洗实验第94-98页
     ·玻璃表面的特性第94-95页
     ·玻璃优化清洗工艺第95-96页
     ·测试结果与分析第96-98页
   ·本章小结第98-99页
第6章 总结与展望第99-101页
   ·本文研究内容第99-100页
   ·本文的主要创新点第100页
   ·进一步开展的工作第100-101页
参考文献第101-106页
致谢第106-107页
作者简介第107页
发表论文第107-108页

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