| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-24页 |
| ·FeN 二元系统及其研究现状 | 第9-14页 |
| ·FeN 二元系统的相结构 | 第9-12页 |
| ·α′′-Fe16N2的研究状况 | 第12-13页 |
| ·γ′-Fe4N的研究状况 | 第13-14页 |
| ·FeNi 二元系统及其研究现状 | 第14-15页 |
| ·FeMN 三元系统及其研究现状 | 第15-22页 |
| ·不同掺杂元素的研究现状 | 第15-18页 |
| ·FeNiN 三元系统的研究现状 | 第18-20页 |
| ·高频软磁特性的研究 | 第20-21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| ·本论文的选题意义及主要工作 | 第22-24页 |
| ·论文的选题意义 | 第22-23页 |
| ·存在的问题 | 第23页 |
| ·本论文的主要工作 | 第23-24页 |
| 第二章 FeNiN 薄膜的制备及其表征手段 | 第24-30页 |
| ·射频(RF) 溅射系统 | 第24-25页 |
| ·射频(RF) 溅射原理 | 第25-27页 |
| ·FeNiN 薄膜样品的制备 | 第27-28页 |
| ·样品的表征手段 | 第28-30页 |
| 第三章 RF溅射工艺过程对FeNiN薄膜结构和磁性的影响 | 第30-52页 |
| ·样品的制备与表征 | 第30-31页 |
| ·氮气分压对 FeNiN 薄膜的影响 | 第31-34页 |
| ·不同Ni 含量对FeNiN 薄膜的影响 | 第34-40页 |
| ·基底温度对 FeNiN 薄膜的影响 | 第40-41页 |
| ·薄膜厚度对 FeNiN 薄膜的影响 | 第41-43页 |
| ·溅射功率对 FeNiN 薄膜的影响 | 第43-48页 |
| ·退火温度对 FeNiN 薄膜的影响 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 FeNiN 薄膜面内磁各向异性的研究 | 第52-64页 |
| ·样品的制备与表征 | 第52-53页 |
| ·氮气分压对FeNiN 薄膜的影响 | 第53-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-75页 |
| 硕士在读期间已发表和已完成的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |