第一章 绪论 | 第1-28页 |
1-1.前言 | 第11页 |
1-2.纳米材料的效应 | 第11-13页 |
1-2-1.表面效应 | 第11-12页 |
1-2-2.小尺寸效应 | 第12页 |
1-2-3.量子尺寸效应 | 第12-13页 |
1-2-4.宏观量子隧道效应 | 第13页 |
1-2-5.介电限域效应 | 第13页 |
1-3.红外光谱和拉曼光谱的应用 | 第13-21页 |
1-3-1.红外光谱 | 第14-18页 |
1-3-1-1.历史回顾 | 第14页 |
1-3-1-2.基本原理 | 第14-15页 |
1-3-1-3.红外光谱图的表示方法 | 第15页 |
1-3-1-4.红外光谱的产生 | 第15-16页 |
1-3-1-5.红外光谱区域划分 | 第16-17页 |
1-3-1-6.分子振动方程式 | 第17页 |
1-3-1-7.峰位、峰数与峰强 | 第17页 |
1-3-1-8.影响峰位变化的因素 | 第17-18页 |
1-3-2.拉曼光谱 | 第18-21页 |
1-3-2-1.拉曼效应 | 第18-19页 |
1-3-2-2.激发源及发展 | 第19页 |
1-3-2-3.拉曼光谱与分子极化率的关系 | 第19页 |
1-3-2-4.退偏比(ρ) | 第19-20页 |
1-3-2-5.基团特征振动频率的特点 | 第20-21页 |
1-3-3.拉曼光谱与红外光谱的关系 | 第21页 |
1-4.纳米管和纳米线的特性及研究进展概括 | 第21-23页 |
1-5.SiO_2纳米管和纳米线的特性及研究现状 | 第23-25页 |
1-6.课题研究的出发点以及研究内容 | 第25-26页 |
参考文献 | 第26-28页 |
第二章 理论背景及其计算方法 | 第28-42页 |
2-1.计算方法 | 第28页 |
2-2.电子结构理论 | 第28-30页 |
2-2-1.半经验方法简介 | 第28-29页 |
2-2-2.从头算方法 | 第29页 |
2-2-3.密度泛函理论(DFT) | 第29-30页 |
2-2-3-1.密度泛函理论的提出 | 第29-30页 |
2-2-3-2.密度泛函方法中的能量表达式 | 第30页 |
2-2-3-3.密度泛函理论方法中的函数 | 第30页 |
2-3.单点能计算 | 第30-31页 |
2-4.分子轨道和轨道能级 | 第31页 |
2-5.几何优化 | 第31-33页 |
2-5-1.势能面 | 第31-32页 |
2-5-2.难处理的优化 | 第32页 |
2-5-3.收敛标准 | 第32-33页 |
2-6.频率计算 FREQ | 第33-37页 |
2-6-1.频率分析输入 | 第33页 |
2-6-2.矫正因子和零点能 | 第33-34页 |
2-6-3.简正模式 | 第34页 |
2-6-4.零点能(Zero Point Energy)和内能 | 第34-35页 |
2-6-5.极化率和超极化率 | 第35-36页 |
2-6-6.表征稳定点 | 第36-37页 |
2-7.基组的影响 | 第37页 |
2-8.态密度(Density of State) | 第37-38页 |
2-8-1.分子轨道分解分析 | 第38页 |
2-8-2.TDOS、PDOS和 OPDOS | 第38页 |
2-9.从头算法和密度泛函的应用 | 第38-39页 |
2-9-1.体系总能量的计算 | 第39页 |
2-9-2.平衡几何构型的计算 | 第39页 |
2-9-3.振动频率分析 | 第39页 |
2-9-4. Mulliken集居数分析 | 第39页 |
2-10.计算软件Gaussian03的介绍 | 第39-41页 |
参考文献 | 第41-42页 |
第三章 SiO_2纳米管的稳定性及尺寸效应 | 第42-61页 |
3-1.引言 | 第42页 |
3-2.计算方法介绍 | 第42-43页 |
3-3.几何构型 | 第43-46页 |
3-3-1.优化后的几何结构图 | 第43-45页 |
3-3-2.SiO_2-WNTs的键长建角 | 第45-46页 |
3-4.计算结果与讨论 | 第46-58页 |
3-4-1.SiO_2纳米管的平均结合能 | 第46-50页 |
3-4-2.SiO_2纳米管的电子结构 | 第50-54页 |
3-4-2-1.能隙(HOMO-LUMO) | 第50页 |
3-4-2-2.态密度(TDOS和 PDOS) | 第50-52页 |
3-4-2-3.轨道图 | 第52-54页 |
3-4-3.SiO_2纳米管红外光谱分析 | 第54-58页 |
3-5.结论 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-61页 |
第四章 有限长SiO_2纳米线的结构和性质研究 | 第61-83页 |
4-1.引言 | 第61页 |
4-2.计算方法介绍 | 第61-62页 |
4-3.几何结构 | 第62-63页 |
4-4.结果与讨论 | 第63-71页 |
4-4-1.平均结合能 | 第63-65页 |
4-4-2.能隙 | 第65-67页 |
4-4-3.红外光谱 | 第67-71页 |
4-4-3-1.1NL中硅原子数为奇数和偶数红外光谱的比较 | 第67-70页 |
4-4-3-2.四种链状结构红外振动的分析 | 第70-71页 |
4-4-4. Raman光谱 | 第71-79页 |
4-4-4-1. INL的Raman光谱 | 第72-73页 |
4-4-4-2.双链结构的Raman光谱 | 第73-76页 |
4-4-4-3.退偏比(ρ) | 第76-79页 |
4-4-4-4.极化率(polarizability) | 第79页 |
4-5.结论 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-83页 |
第五章 (SiO_2)_nO_2H_4的红外振动光谱的理论研究 | 第83-90页 |
5-1.引言 | 第83页 |
5-2.几何结构和计算方法 | 第83-84页 |
5-3.振动光谱分析 | 第84-88页 |
5-3-1.链状结构 | 第84-86页 |
5-3-2.环状结构 | 第86-87页 |
5-3-3.笼状结构 | 第87-88页 |
5-4.结论 | 第88-89页 |
参考文献 | 第89-90页 |
第六章 结论 | 第90-92页 |
致谢 | 第92页 |