| 第一章 绪论 | 第1-19页 |
| ·概述 | 第9-13页 |
| ·铁电薄膜生长 | 第13-19页 |
| ·铁电薄膜与应变工程 | 第13-14页 |
| ·铁电薄膜沉积工艺 | 第14-19页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第19-29页 |
| ·激光分子束外延原理 | 第19-20页 |
| ·设备简介 | 第20-21页 |
| ·原位的反射高能电子衍射 | 第21-29页 |
| ·薄膜表面的RHEED 主要信息 | 第22-24页 |
| ·RHEED 与生长模式与强度振荡曲线 | 第24-26页 |
| ·RHEED 衍射图案分析 | 第26-28页 |
| ·RHEED 在本论文中实际应用的说明 | 第28-29页 |
| 第三章 氧化物薄膜异质外延的应变理论模型 | 第29-37页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·小晶格失配体系与Matthews-Blakeslee 公式 | 第29-33页 |
| ·Matthews-Blakeslee 公式的物理含义 | 第30页 |
| ·失配位错形成的临界厚度 | 第30-31页 |
| ·晶格驰豫过程 | 第31-32页 |
| ·Matthews-Blakeslee 公式的实用价值 | 第32-33页 |
| ·Matthews-Blakeslee 公式的理论补充 | 第33页 |
| ·大晶格失配体系与弹性应变岛理论 | 第33-37页 |
| ·弹性应变岛与界面能量的关系 | 第33-34页 |
| ·弹性应变岛生长的动力学理论 | 第34-35页 |
| ·弹性应变岛理论的意义与应变量子岛的实现 | 第35-37页 |
| 第四章 氧化物薄膜异质外延的应变控制研究 | 第37-60页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·铁电薄膜临界厚度计算与控制 | 第37-43页 |
| ·Matthews-Blakeslee 公式临界厚度计算 | 第37-39页 |
| ·材料体系选择的实际考虑 | 第39页 |
| ·临界厚度的实验监测与控制 | 第39-43页 |
| ·BaTiO_3/SrTiO_3(f=2.1896)的实验临界厚度 | 第39-42页 |
| ·BaTiO_3/LaAlO_3(f=5.3396)的实验临界厚度 | 第42-43页 |
| ·通过温度控制应变与铁电薄膜低温生长 | 第43-53页 |
| ·BaTiO_3 在LaAlO_3 基片上直接低温(300℃)生长 | 第43-45页 |
| ·LaAlO_3 基片的处理 | 第43-44页 |
| ·BaTiO_3 薄膜在300℃的低温下直接生长 | 第44-45页 |
| ·BaTiO_3 温度调制缓冲层 | 第45-47页 |
| ·BaTiO_3 温度调制缓冲层的生长模式和表面成核 | 第47-48页 |
| ·温度调制控制的应变与粒子成核的激活能 | 第48-50页 |
| ·BaTiO_3 薄膜在300℃低温下的生长 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| ·MgO 量子岛的设计 | 第53-60页 |
| ·MgO 在SrTiO_3 基片上生长的应变释放过程 | 第53-55页 |
| ·应变释放导致的MgO 生长模式转变 | 第55-56页 |
| ·MgO 应变量子岛的设计考虑与性质 | 第56-59页 |
| ·MgO 应变量子岛的设计考虑 | 第56-57页 |
| ·MgO 应变量子岛与沿[001]轴的面外织构 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 主要结论与创新点 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第69页 |
| 个人简历 | 第69页 |
| 在读期间已发表和待发表的论文 | 第69页 |
