高纯球形纳米SiO2的制备与表征
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 前言 | 第8-21页 |
| ·纳米粒子的结构和性质 | 第8-10页 |
| ·纳米材料的表面效应 | 第8-9页 |
| ·纳米材料的体积效应 | 第9页 |
| ·纳米粒子的量子尺寸效应 | 第9-10页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·选题依据 | 第11页 |
| ·研究内容 | 第11-12页 |
| ·研究技术路线 | 第12-13页 |
| ·创新点 | 第13页 |
| ·电子封装材料用高纯球形纳米SiO_2的基本要求 | 第13-14页 |
| ·高纯球形纳米SiO_2的应用现状及发展前景 | 第14-20页 |
| ·完成工作量 | 第20-21页 |
| 第2章 高纯球形纳米SiO_2的制备 | 第21-29页 |
| ·实验原料及设备 | 第21页 |
| ·水玻璃溶液的制备 | 第21-22页 |
| ·超细粉体的制备的制备方法 | 第22-23页 |
| ·纳米SiO_2的制备方法 | 第23-26页 |
| ·固相法 | 第24页 |
| ·气相法 | 第24页 |
| ·液相法 | 第24-26页 |
| ·溶胶—凝胶法制备高纯球形纳米SiO_2 | 第26-29页 |
| ·制备原理 | 第26页 |
| ·制备工艺 | 第26-27页 |
| ·制备工艺条件 | 第27-29页 |
| 第3章 高纯球形纳米SiO_2的表征 | 第29-32页 |
| ·化学成分分析 | 第29页 |
| ·XRD结晶度分析 | 第29-30页 |
| ·TEM、SEM显微组织分析 | 第30-32页 |
| 第4章 影响因素探讨 | 第32-45页 |
| ·溶胶出现时间 | 第32-34页 |
| ·溶胶出现时间与硅酸钠浓度的关系 | 第32页 |
| ·溶胶出现时间与合成pH值的关系 | 第32-33页 |
| ·溶胶出现时间与合成温度的关系 | 第33-34页 |
| ·硅凝胶的形成过程 | 第34页 |
| ·制备原料对纳米SiO_2纯度的影响 | 第34-35页 |
| ·硅酸钠中的硅酸根的结构与SiO_2粒度的关系 | 第35-36页 |
| ·无水乙醇用量不同对粒径的影响 | 第36页 |
| ·合成温度的影响 | 第36-37页 |
| ·水玻璃浓度的影响 | 第37-39页 |
| ·氨用量的影响 | 第39-40页 |
| ·合成pH值的影响 | 第40页 |
| ·产生团聚的原因及解决措施 | 第40-43页 |
| ·团聚原因 | 第40-41页 |
| ·解决措施 | 第41-43页 |
| ·烘干及锻烧温度的影响 | 第43-45页 |
| 第5章 结论 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 附录 | 第51-52页 |
