FPGA微电路电离总剂量辐射效应及加固技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| Content | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·课题来源 | 第10页 |
| ·研究目的和意义 | 第10-11页 |
| ·核辐射环境 | 第11页 |
| ·辐射效应 | 第11-13页 |
| ·国内外现状和发展趋势 | 第13-15页 |
| ·课题背景及研究途径 | 第15-16页 |
| ·论文的内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 MOS器件电离总剂量辐射效应机理 | 第17-34页 |
| ·概述 | 第17页 |
| ·MOSFET的工作原理 | 第17-19页 |
| ·Si-SiO_2界面电荷特性 | 第19-24页 |
| ·电离辐射对 MOSFET参数的影响 | 第24-28页 |
| ·电离辐射与感生漏电流 | 第28-29页 |
| ·电离辐射感生界面态的因素 | 第29-31页 |
| ·MOS器件加固方法 | 第31-34页 |
| 第三章 FPGA芯片结构及样品开发 | 第34-52页 |
| ·ACTEL公司 FPGA芯片 | 第34-38页 |
| ·可编程逻辑块的结构与原理 | 第38-39页 |
| ·FPGA样品开发 | 第39页 |
| ·FPGA芯片辐照参数选取 | 第39-41页 |
| ·样品板开发 | 第41-47页 |
| ·样品板 | 第47页 |
| ·FPGA中的辐射效应 | 第47-49页 |
| ·FPGA辐射加固措施 | 第49-51页 |
| ·开发样品小结 | 第51-52页 |
| 第四章 辐照试验及数据分析 | 第52-78页 |
| ·辐照条件 | 第52-53页 |
| ·试验影响因素 | 第53-54页 |
| ·FPGA芯片失效判据 | 第54-55页 |
| ·试验安排 | 第55-57页 |
| ·试验数据及分析 | 第57-69页 |
| ·试验数据分析 | 第69-78页 |
| 第五章 结束语 | 第78-81页 |
| ·结论 | 第78页 |
| ·工作展望 | 第78-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 作者在读期间科研成果简介 | 第84-85页 |
| 申明 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
