| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| ·平板显示器件(FPD)发展简介 | 第7-8页 |
| ·场发射平板显示(FED)简介 | 第8-10页 |
| ·场发射平板显示器件对荧光层的技术要求及存在的问题 | 第10-11页 |
| ·本论文的选题思想及主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 理论基础 | 第13-28页 |
| ·ZnS的性质及其应用 | 第13-17页 |
| ·ZnS的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·ZnS的性质与应用 | 第14-17页 |
| ·ZnS荧光薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| ·ZnS荧光薄膜的发光机理 | 第18-27页 |
| ·光电显示材料 | 第18-19页 |
| ·发光的基本原理 | 第19-24页 |
| ·阴极射线发光过程 | 第24-25页 |
| ·ZnS薄膜的发光机理 | 第25-27页 |
| ·ZnS薄膜的应用前景 | 第27-28页 |
| 第三章 射频辅助脉冲激光沉积法 | 第28-39页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)法 | 第28-36页 |
| ·脉冲激光沉积的基本原理 | 第28-30页 |
| ·脉冲激光沉积的特点 | 第30-32页 |
| ·脉冲激光沉积的工艺条件对ZnS薄膜的影响 | 第32-36页 |
| ·射频辅助脉冲激光沉积镀膜 | 第36-37页 |
| ·射频辅助脉冲激光沉积实验装置 | 第37-39页 |
| 第四章 射频辅助脉冲激光沉积制备ZnS薄膜 | 第39-73页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·实验测试方法 | 第40-43页 |
| ·结构分析 | 第40-41页 |
| ·形貌分析 | 第41-43页 |
| ·发光特性测试 | 第43页 |
| ·ZnS靶材的各种特性测试 | 第43-46页 |
| ·实验结果及分析 | 第46-66页 |
| ·脉冲激光能量密度对制备ZnS薄膜的影响 | 第46-50页 |
| ·环境气压对制备ZnS薄膜的影响 | 第50-51页 |
| ·射频辅助对制备ZnS薄膜的影响 | 第51-55页 |
| ·沉积温度对制备ZnS薄膜的影响 | 第55-59页 |
| ·基体-靶距对制备ZnS薄膜的影响 | 第59-60页 |
| ·激光重复频率对制备ZnS薄膜的影响 | 第60-61页 |
| ·退火处理对制备ZnS薄膜的影响 | 第61-65页 |
| ·实验条件参数优化 | 第65-66页 |
| ·ZnS薄膜的发光特性分析 | 第66-68页 |
| ·光致发光特性分析 | 第66-67页 |
| ·阴极射线发光特性分析 | 第67-68页 |
| ·ZnO/ZnS双层薄膜的各种特性分析 | 第68-73页 |
| ·ZnO/ZnS双层薄膜的制备 | 第68页 |
| ·各种特性分析 | 第68-73页 |
| 第五章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 附录 | 第81页 |