0.18μm CMOS工艺射频集成压控振荡器的研究与设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景和意义 | 第8页 |
| ·压控振荡器发展历程和国内外研究现状 | 第8-9页 |
| ·本文研究任务和设计思路 | 第9-10页 |
| ·本文的组织结构 | 第10-12页 |
| 第二章 压控振荡器设计基础 | 第12-22页 |
| ·振荡器的基本原理 | 第12-18页 |
| ·两端负反馈系统分析 | 第12-14页 |
| ·LC 谐振电路特性 | 第14-15页 |
| ·单端能量补偿系统分析 | 第15-18页 |
| ·电感电容压控振荡器 | 第18-22页 |
| ·压控振荡器的数学模型 | 第18-19页 |
| ·差分 LC 压控振荡器 | 第19-22页 |
| 第三章 片上电感和可变电容 | 第22-30页 |
| ·硅基集成螺旋电感 | 第22-26页 |
| ·平面螺旋电感结构 | 第22-24页 |
| ·平面螺旋电感模型分析 | 第24-26页 |
| ·可变电容特性分析 | 第26-30页 |
| ·变容二极管 | 第26-27页 |
| ·MOS 管可变电容 | 第27-30页 |
| 第四章 相位噪声理论与降噪技术 | 第30-45页 |
| ·振荡器的相位噪声 | 第30-31页 |
| ·线性时不变（LTI）模型 | 第31-35页 |
| ·线性相位时变（LPTV）模型 | 第35-39页 |
| ·相位增量的脉冲响应 | 第35-37页 |
| ·相位—电压转换 | 第37-38页 |
| ·单边带噪声谱密度与载波功率之比 | 第38-39页 |
| ·周期平稳噪声源 | 第39页 |
| ·相位噪声降低技术 | 第39-45页 |
| ·去除尾电流源 | 第40-41页 |
| ·大电容滤波技术 | 第41-43页 |
| ·二次谐波谐振滤波技术 | 第43-45页 |
| 第五章 压控振荡器电路设计与优化 | 第45-63页 |
| ·低功耗和低相位噪声设计思路 | 第45-46页 |
| ·低功耗设计 | 第45-46页 |
| ·低相位噪声设计 | 第46页 |
| ·电压偏置型 LC VCO 电路结构 | 第46-51页 |
| ·MOS 管尺寸参数的确定 | 第48页 |
| ·电感参数的确定 | 第48-50页 |
| ·可变电容与固定电容的选取 | 第50-51页 |
| ·电压偏置型 LC VCO 前仿真 | 第51-54页 |
| ·瞬态仿真结果 | 第52-53页 |
| ·频率调谐曲线 | 第53-54页 |
| ·相位噪声 | 第54页 |
| ·尾电流偏置型 LC VCO 电路结构 | 第54-57页 |
| ·VCO 相位噪声优化 | 第57-58页 |
| ·版图设计与后仿真 | 第58-63页 |
| ·版图的设计 | 第58-60页 |
| ·后仿真结果 | 第60-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
