| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·MEMS 简介 | 第8-11页 |
| ·MEMS 的基本特征 | 第8-9页 |
| ·MEMS 的理论基础 | 第9页 |
| ·MEMS 的制造技术 | 第9-10页 |
| ·MEMS 的应用 | 第10-11页 |
| ·MEMS 材料和体硅加工工艺 | 第11-13页 |
| ·材料 | 第11-12页 |
| ·MEMS 体硅加工工艺简介 | 第12-13页 |
| ·课题的背景及意义 | 第13-15页 |
| ·国内外体硅工艺的研究现状 | 第13-15页 |
| ·国外的发展现状 | 第14页 |
| ·国内的发展现状 | 第14-15页 |
| ·当前发展方向和主要问题 | 第15页 |
| ·本课题的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 单晶硅的湿法各向异性化学腐蚀 | 第16-29页 |
| ·单晶硅的异向腐蚀的几何基础 | 第16-20页 |
| ·晶面参数简介 | 第16-18页 |
| ·单晶硅的微观结构 | 第18-20页 |
| ·单晶硅的各向异性腐蚀 | 第20-28页 |
| ·单晶硅的各向异性腐蚀的加工过程 | 第20-21页 |
| ·单晶硅湿法异向腐蚀常用腐蚀剂 | 第21-22页 |
| ·单晶硅湿法异向腐蚀原理 | 第22页 |
| ·影响单晶硅异向腐蚀的因素 | 第22-27页 |
| ·晶向对腐蚀速率的影响 | 第22-24页 |
| ·反应温度对腐蚀速率的影响 | 第24-25页 |
| ·腐蚀剂浓度对腐蚀速率的影响 | 第25-27页 |
| ·各向异性腐蚀特性小结 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 GUASSIAN 程序计算 | 第29-45页 |
| ·GUASSIAN 简介 | 第29-30页 |
| ·由 GUASSIAN 计算程序解释单晶硅的异向腐蚀特性 | 第30-44页 |
| ·易进攻位置的界定 | 第31-37页 |
| ·计算方法 | 第31页 |
| ·表面簇模型 | 第31-32页 |
| ·计算结果与讨论 | 第32-37页 |
| ·易拉脱原子的界定 | 第37-44页 |
| ·计算方法 | 第37页 |
| ·原子簇模型 | 第37页 |
| ·计算结果与讨论 | 第37-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 腐蚀过程模型的建立 | 第45-56页 |
| ·解释硅单晶各向异性腐蚀的现有机制 | 第45-50页 |
| ·建立腐蚀机理模型 | 第50-55页 |
| ·影响溶液扩散的因素 | 第51-52页 |
| ·扩散模型 | 第52-55页 |
| ·基于溶液中双分子反应的模型 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·全文总结 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 图表索引 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |