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光控型全光开关研究

第一章 绪论第1-27页
   ·引言第9-11页
   ·光开关的主要应用领域:第11-13页
   ·光开关的研究方法及其目标第13页
   ·光开关的研究现状第13-24页
     ·常用光开关类型及特点第13-18页
     ·皮秒级光控光开关的研究进展第18-24页
   ·本研究的目的和内容第24页
 参考文献第24-27页
第二章 半导体光致折射率研究第27-38页
   ·、 引言第27页
   ·、 光生载流子影响折射率变化模型第27-30页
     ·、 自由载流子吸收效应第28页
     ·、 带填充效应第28-29页
     ·、 最终模型第29-30页
   ·、 稳态光注入下的光致折变模型第30-33页
     ·、 稳态光注入模型第30-31页
     ·、 折射率变化的空间分布第31-32页
     ·、 折射率变化的时间响应第32-33页
   ·、 瞬态(高斯光)注入下的光致折变模型第33-37页
     ·、 瞬态(高斯光)注入模型第33-35页
     ·、 折射率变化的计算及分析第35-37页
 参考文献第37-38页
第三章 光控型全光开关设计第38-49页
   ·、 引言第38页
   ·、 全内反射原理第38-39页
   ·、 非对称Y分叉全内反射型全光开关第39-43页
     ·传统Y分叉的分析第39-40页
     ·展宽Y分叉参数分析第40-42页
     ·器件最终设计第42-43页
   ·、 光注入X结GAAS全光开关的设计第43-46页
     ·器件原理第43-44页
     ·器件设计及模拟第44-46页
   ·、 其他结构的光控型器件设计第46-48页
     ·耦合型光控器件的简单设计第46-47页
     ·BOA型光开关器件的简单设计第47-48页
 参考文献第48-49页
第四章 器件制作工艺研究第49-68页
   ·、 材料选择与制备第49-52页
     ·、 MOVPE生长GaAs等材料的反应机理第49-50页
     ·、 MOVPE生长GaAs及其影响因素第50-52页
   ·、 晶片抛光及清晰第52-55页
     ·抛光第52-53页
     ·清洗第53-55页
   ·、 蒸铝及光刻工艺第55-62页
     ·蒸铝第55-56页
     ·光刻第56-62页
   ·、 具体制作流程及相关工艺参数第62-67页
     ·GaAs晶片消洗第62-63页
     ·器件制作方法第63-64页
     ·工艺流程及工艺参数第64-67页
 参考文献第67-68页
第五章 器件的测试及其结果第68-76页
   ·、 引言第68页
   ·、 测试系统的建立第68-69页
   ·、 测试结果及性能分析第69-75页
     ·非对称Y分叉全内反射型全光开关性能分析第69-70页
     ·耦合型全光开关第70-72页
     ·M-Z结构光注入实验第72-75页
 参考文献第75-76页
第六章 总结与展望第76-84页
   ·、 总结第76-79页
     ·理论模型第76-78页
     ·器件设计与制作第78-79页
     ·测试系统第79页
   ·展望第79-83页
 参考文献第83-84页
致谢第84-85页
附录: 攻读硕士期间发表和待发表的论文第85页

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