| 序言 | 第1-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-30页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·半导体硅材料 | 第12-13页 |
| ·半导体单晶硅制备 | 第13-14页 |
| ·硅中的氧 | 第14-18页 |
| ·氧对硅材料的影响 | 第15页 |
| ·硅中氧的基本性质 | 第15-16页 |
| ·硅中氧的扩散 | 第16-17页 |
| ·硅中氧的测量 | 第17-18页 |
| ·氧沉淀 | 第18-24页 |
| ·氧沉淀对硅材料和器件的影响 | 第18-19页 |
| ·氧沉淀的形成 | 第19-20页 |
| ·影响硅中氧沉淀的因素 | 第20-21页 |
| ·氧沉淀的热处理性质 | 第21-22页 |
| ·氧沉淀及相关缺陷的观测 | 第22-24页 |
| ·快速热处理(RTP) | 第24-30页 |
| ·RTP的基本机构 | 第24-25页 |
| ·RTP的优点和在集成电路制造中的应用 | 第25-26页 |
| ·MDZ形成的机理 | 第26-30页 |
| 第二章 实验设备及样品准备 | 第30-33页 |
| ·实验设备 | 第30-32页 |
| ·热处理炉 | 第30页 |
| ·傅立叶转换红外测试仪 | 第30页 |
| ·金相显微镜 | 第30-31页 |
| ·RTP快速热处理炉 | 第31-32页 |
| ·样品的制备 | 第32-33页 |
| 第三章 不同温度快速热处理对大直径直拉硅片氧沉淀的影响 | 第33-40页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·实验 | 第33-35页 |
| ·实验样品 | 第33-34页 |
| ·实验步骤 | 第34-35页 |
| ·结果及讨论 | 第35-39页 |
| ·RTP(1200℃～1280℃)，50s和无RTP+800℃，4h+1050℃，16h | 第35-36页 |
| ·RTP(1200℃～1280℃)，50s和无RTP+1050℃，64h | 第36-37页 |
| ·讨论 | 第37-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 第四章 快速热处理对直拉硅单晶在中低温长时间热处理过程中的氧沉淀的影响 | 第40-49页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·实验 | 第40-41页 |
| ·实验样品 | 第40页 |
| ·实验步骤 | 第40-41页 |
| ·结果及讨论 | 第41-46页 |
| ·RTP(1250℃)，50s和无RTP+650℃，128h | 第41-42页 |
| ·RTP(1250℃)，50s和无RTP+750℃，128h | 第42-44页 |
| ·RTP(1250℃)，50s和无RTP+850℃，128h | 第44-45页 |
| ·RTP(1250℃)，50s和无RTP+950℃，128h | 第45-46页 |
| ·讨论 | 第46-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 第五章 快速热处理对直拉硅单晶在高温长时间热处理过程中的氧沉淀的影响 | 第49-57页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·实验 | 第50-51页 |
| ·实验样品 | 第50页 |
| ·实验步骤 | 第50-51页 |
| ·结果及讨论 | 第51-55页 |
| ·结论 | 第55-57页 |
| 第六章 高温RTP预处理对直拉硅单晶中氧沉淀消融的作用 | 第57-63页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·实验 | 第57-58页 |
| ·实验样品 | 第57-58页 |
| ·实验步骤 | 第58页 |
| ·结果及讨论 | 第58-62页 |
| ·650℃，8h+1050℃，16h和650℃，16h+1050℃，16h+RTP(1250℃)，50s | 第58-62页 |
| ·讨论 | 第62页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| 第七章 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
