| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 目录 | 第12-14页 |
| 第一章 文献综述 | 第14-37页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·SOI技术综述 | 第15-24页 |
| ·SOI技术应用领域 | 第15-21页 |
| ·SOI技术工艺概述 | 第21-24页 |
| ·新型SOI结构用电绝缘薄膜研究现状 | 第24-28页 |
| ·氮化物薄膜 | 第24-26页 |
| ·氧化物薄膜 | 第26页 |
| ·碳薄膜 | 第26-28页 |
| ·AIN和ta-C薄膜的特性及应用 | 第28-32页 |
| ·AlN薄膜特性综述 | 第28-30页 |
| ·ta-C薄膜特性综述 | 第30-32页 |
| ·本文研究工作 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-37页 |
| 第二章 新型SOI结构的电热模拟 | 第37-63页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·模拟软件的选择 | 第38-39页 |
| ·SOILDMOSFET结构电热模型的建立 | 第39-43页 |
| ·LDMOSFET和SOILDMOSFET器件的基本结构 | 第39页 |
| ·器件电热模型的建立 | 第39-43页 |
| ·温度对器件性能的影响分析 | 第43-49页 |
| ·温度对器件迁移率的影响 | 第43-46页 |
| ·温度对本征载流子浓度的影响 | 第46-47页 |
| ·温度对器件阈值电压的影响 | 第47-48页 |
| ·温度对器件源漏特性的影响 | 第48-49页 |
| ·器件结构的自加热效应及热应力分析 | 第49-60页 |
| ·器件的自加热效应 | 第49-55页 |
| ·器件的热应力分析 | 第55-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第三章 AIN薄膜的制备及性能表征 | 第63-85页 |
| ·离子束增强弄沉积系统的结构及工作原理 | 第63-64页 |
| ·离子束增强沉积AIN薄膜的工艺过程及特点 | 第64-65页 |
| ·离子束增强沉积AIN薄膜的性能表征 | 第65-83页 |
| ·X光电子能谱 | 第65-69页 |
| ·原子力显微镜分析 | 第69-72页 |
| ·扩展电阻分析 | 第72-73页 |
| ·电绝缘特性表征 | 第73-83页 |
| ·小结 | 第83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第四章 ta-C薄膜的制备及性能表征 | 第85-110页 |
| ·真空磁过滤弧源沉积系统的结构及工作原理 | 第85-86页 |
| ·真空磁过滤弧源沉积ta-C薄膜的工艺过程及特点 | 第86页 |
| ·真空磁过滤弧源沉积ta-C薄膜的性能表征 | 第86-109页 |
| ·非卢瑟福背散射分析 | 第89-92页 |
| ·原子力显微镜分析 | 第92-96页 |
| ·红外反射谱模拟研究 | 第96-103页 |
| ·电绝缘特性表征 | 第103-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-112页 |
| 结论 | 第112-114页 |
| 发表文章目录 | 第114-116页 |
| 作者简历 | 第116页 |