| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| 参考文献 | 第13-15页 |
| 第二章 GaN的MSM光电探测器的工作原理及器件的结构设计 | 第15-31页 |
| §2．1 光探测器的分类与一般工作原理 | 第15-16页 |
| §2．2 GaN的MSM探测器的结构 | 第16-17页 |
| §2．3 MSM探测器的工作原理 | 第17-22页 |
| §2．4 电流-电压特性 | 第22-23页 |
| §2．5 电容-电压特性 | 第23-24页 |
| §2．6 MSM探测器主要参量及其物理意义 | 第24-27页 |
| §2．7 器件的具体结构设计 | 第27-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章 材料制备与特性表征 | 第31-46页 |
| §3．1 GaN材料的结构特性 | 第31-32页 |
| §3．2 材料生长 | 第32-34页 |
| §3．3 材料测试与分析 | 第34-43页 |
| §3．31 X射线衍射（XRD）分析 | 第35-36页 |
| §3．32 光致发光（PL）谱研究 | 第36-39页 |
| §3．33 喇曼（Raman）散射谱研究 | 第39-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第四章 版图设计与器件制备 | 第46-61页 |
| §4．1 版图设计与制版 | 第46-51页 |
| §4．2 器件制备 | 第51-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第五章 GaN的MSM紫外探测器的性能测试与分析 | 第61-72页 |
| §5．1 暗电流测试 | 第61-64页 |
| §5．2 光照下的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第64-67页 |
| §5．3 光谱响应 | 第67-69页 |
| §5．4 击穿电压的测量 | 第69页 |
| §5．5 讨论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 硕士期间完成的论文 | 第73页 |