降低高阻硅探测器漏电流的方法研究
| 第一章 概述 | 第1-11页 |
| 1．1 引言 | 第8-9页 |
| 1．2 PIN电流型探测器的发展 | 第9页 |
| 1．3 探测器的漏电流 | 第9-11页 |
| 第二章 探测器的正反向电流特性 | 第11-24页 |
| 2．1 扩散电流 | 第12-16页 |
| 2．2 产生电流 | 第16-18页 |
| 2．3 表面漏电流 | 第18-24页 |
| 第三章 保护环技术 | 第24-58页 |
| 3．1 引言 | 第24-25页 |
| 3．2 结构设计 | 第25-29页 |
| 3．2．1 硅片 | 第25-28页 |
| 3．2．1．1 灵敏区厚度 | 第26-27页 |
| 3．2．1．2 保护环沟槽 | 第27-28页 |
| 3．2．2 管壳 | 第28-29页 |
| 3．3 主要工艺设计 | 第29-33页 |
| 3．3．1 形成PIN结构 | 第29-31页 |
| 3．3．2 腐蚀沟槽 | 第31-32页 |
| 3．3．3 制备电极 | 第32-33页 |
| 3．4 工艺制作 | 第33-48页 |
| 3．4．1 工艺流程 | 第33页 |
| 3．4．2 机械加工 | 第33-34页 |
| 3．4．3 化学腐蚀 | 第34-38页 |
| 3．4．4 离子注入 | 第38-42页 |
| 3．4．5 光刻 | 第42-45页 |
| 3．4．6 封装 | 第45-46页 |
| 3．4．7 真空蒸发 | 第46-47页 |
| 3．4．8 初测 | 第47-48页 |
| 3．5 反向漏电流测量与结果分析 | 第48-54页 |
| 3．6 可靠性试验 | 第54-58页 |
| 3．6．1 存储试验 | 第54-55页 |
| 3．6．2 电老化试验 | 第55-56页 |
| 3．6．3 提高可靠性的措施 | 第56-58页 |
| 第四章 降低探测器漏电流的其它方法 | 第58-64页 |
| 4．1 环氧封装技术 | 第58-59页 |
| 4．2 表面钝化技术 | 第59-61页 |
| 4．3 涂敷有机保护材料 | 第61页 |
| 4．4 特殊结构设计 | 第61-62页 |
| 4．5 其它方法 | 第62-64页 |
| 结束语 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 附录A | 第69-74页 |
| 附录B | 第74-85页 |
