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自旋轨道耦合的二维电子气中自旋输运相关性质的研究

中文摘要第1-7页
英文摘要第7-9页
第一章 绪论第9-39页
   ·自旋电子学研究的历史回顾第9-18页
     ·巨磁电阻(GMR)第10-11页
     ·隧道磁电阻(TMR)第11-12页
     ·半导体自旋电子学第12-18页
       ·磁性半导体第14-15页
       ·自旋的注入和检测第15-16页
       ·自旋的输运第16-17页
       ·半导体电子自旋的控制和操纵第17-18页
   ·自旋轨道耦合第18-23页
     ·Rashba自旋轨道耦合第21-22页
     ·Dresselhaus自旋轨道耦合第22-23页
   ·自旋流第23-26页
   ·自旋流产生的物理效应第26-29页
     ·自旋流与电场第27页
     ·自旋流在电场下的运动第27-28页
     ·自旋流与自旋积累第28-29页
   ·自旋霍尔效应第29-33页
     ·原理第29-31页
     ·检测第31页
     ·应用第31-33页
   ·论文结构第33-34页
 参考文献第34-39页
第二章 外磁场对螺旋自旋寿命的影响第39-61页
   ·引言第39-42页
   ·格林函数第42-46页
     ·G_r(t,t′)=G_r(t-t′)第43-44页
     ·G_r(ω)的极点确定相互作用系统的元激发第44-45页
     ·谱定理第45-46页
   ·双时格林函数的运动方程第46-48页
   ·格林函数与粒子寿命第48-50页
   ·外磁场下的体系模型第50-51页
   ·垂直方向磁场对[110]型Dresselhaus模式中螺旋自旋的影响第51-53页
   ·平面内合适方向磁场对ReD模式中螺旋自旋的影响第53-58页
   ·本章小结第58-59页
 参考文献第59-61页
第三章 杂质对二维电子气中自旋极化的顶角修正第61-78页
   ·引言第61-62页
   ·非磁性杂质情况下二维电子气中的自旋极化第62-68页
     ·研究模型的哈密顿量第63-64页
     ·杂质平均的格林函数第64-66页
     ·自旋顶角修正第66-67页
     ·自旋的极化第67-68页
   ·磁性杂质情况下二维电子气中的自旋极化第68-74页
     ·各向异性杂质的散射势第69页
     ·平均格林函数第69-71页
     ·磁性杂质情况下自旋极化第71-74页
   ·本章小结第74-76页
 参考文献第76-78页
第四章 自旋极化的二维电子气中反常霍尔效应第78-101页
   ·引言第78-85页
     ·反常霍尔效应理论机制的研究历史第80-83页
     ·反常霍尔效应理论的最新进展第83-85页
   ·自旋极化的二维电子气体系中反常霍尔现象第85-94页
     ·非磁性杂质散射势下的反常霍尔效应第87-90页
       ·非磁性杂质散射势的体系模型第87页
       ·自能和平均格林函数第87-88页
       ·非磁性杂质散射势下的反常霍尔电导率第88-90页
     ·磁性杂质下的反常霍尔效应第90-94页
       ·平均格林函数与零顶角修正项时的反常霍尔电导率第91-92页
       ·磁性杂质散射势下的顶角修正项第92-94页
   ·本章小结第94-96页
 参考文献第96-101页
第五章 论文总结第101-104页
   ·论文主要内容总结第101-102页
     ·外磁场对螺旋自旋寿命的影响第101页
     ·杂质散射势对二维电子气中自旋极化的影响第101-102页
     ·杂质散射势对自旋极化的电子气中反常霍尔效应的影响第102页
   ·论文展望第102-104页
致谢第104-105页
博士期间完成论文目录第105-106页

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