| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-21页 |
| ·脉冲激光烧蚀和脉冲激光沉积 | 第8-10页 |
| ·脉冲激光烧蚀(PLA) | 第8-9页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第9-10页 |
| ·ECR等离子体辅助脉冲激光沉积 | 第10-14页 |
| ·ECR等离子体 | 第10-12页 |
| ·ECR等离子体辅助脉冲激光沉积方法 | 第12-13页 |
| ·ECR等离子体辅助脉冲激光沉积装置 | 第13-14页 |
| ·高K栅介质材料和Al_2O_3薄膜 | 第14-18页 |
| ·高K栅介质材料 | 第14-16页 |
| ·Al_2O_3薄膜 | 第16-18页 |
| ·硫系玻璃薄膜 | 第18-19页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第19-21页 |
| 第二章 ECR等离子体辅助脉冲激光沉积Al_2O_3薄膜 | 第21-30页 |
| ·Al_2O_3薄膜 | 第21-22页 |
| ·Al_2O_3薄膜的制备 | 第22页 |
| ·退火热处理 | 第22-23页 |
| ·Al_2O_3薄膜的结构和性能表征 | 第23页 |
| ·实验结果及讨论 | 第23-29页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第23-26页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 Al_2O_3薄膜与Si衬底的边界层问题 | 第30-37页 |
| ·边界层的研究背景 | 第30-31页 |
| ·Al_2O_3薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·退火热处理 | 第32页 |
| ·膜层的分析表征(FTIR) | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 PLD制备硫系玻璃As-S/As-Se/Ge-As-Se薄膜 | 第37-45页 |
| ·硫系玻璃薄膜的研究背景 | 第37-38页 |
| ·硫系玻璃薄膜的制备 | 第38页 |
| ·膜层的分析表征 | 第38-44页 |
| ·可见红外紫外光谱 | 第38-40页 |
| ·极值包络线计算法 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 总结和展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 后记 | 第56-57页 |