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低维锗基纳米材料掺杂改性的第一性原理研究

摘要第1-6页
Abstract第6-13页
第1章 绪论第13-27页
   ·纳米材料及其特性第13-17页
     ·纳米材料概述第13-14页
     ·纳米材料的分类第14页
     ·纳米材料的特性第14-16页
     ·纳米材料的发展趋势第16-17页
   ·锗基一维纳米材料的研究现状第17-24页
     ·锗基纳米材料概述第17-19页
     ·锗纳米线的研究现状第19-22页
     ·锗纳米带的研究现状第22-24页
   ·本文的研究内容第24-27页
第2章 理论基础第27-43页
   ·第一性原理计算方法概述第27-28页
   ·多粒子系统的Schrodinger方程第28-29页
   ·Born-Oppenheimer近似第29页
   ·Hartree-Fock近似第29-31页
   ·密度泛函理论第31-33页
     ·Thomas-Fermi模型第31页
     ·Hohenberg-Kohn定理第31-32页
     ·Kohn-Sham方程第32-33页
   ·交换关联泛函的简化第33-36页
     ·局域密度近似第33-34页
     ·广义梯度近似第34-35页
     ·密度泛函理论的局限性和改进第35页
     ·占据位库仑排斥:DFT+U第35-36页
   ·密度泛函理论的数值计算方法第36-39页
     ·赝势平面波法第37-39页
     ·投影缀加波方法第39页
   ·结构优化及算法第39-41页
   ·VASP软件包简介第41-43页
第3章 Al、P吸附和掺杂Ge纳米线性质的第一性原理研究第43-59页
   ·引言第43-44页
   ·计算方法和结构模型第44-48页
     ·计算方法第44-45页
     ·结构模型第45-48页
   ·清洁和氢钝化的Ge纳米线第48-50页
     ·清洁的Ge纳米线第48页
     ·氢钝化的Ge纳米线第48-50页
   ·Al、P吸附和掺杂的Ge纳米线第50-57页
     ·表面吸附第50-55页
     ·替换掺杂第55-57页
   ·本章小结第57-59页
第4章 过渡金属吸附Ge纳米线的结构、电子特性和磁性第59-75页
   ·引言第59-62页
     ·自旋电子学第59-60页
     ·稀磁半导体第60页
     ·半金属铁磁材料第60-61页
     ·Ge基磁性半导体研究现状第61-62页
   ·计算方法和模型第62-63页
   ·计算结果与讨论第63-72页
     ·过渡金属吸附Ge纳米线的结构稳定性第63-66页
     ·过渡金属吸附Ge纳米线电子特性和磁性第66-71页
     ·半金属铁磁态的稳定性:LDA+U计算第71-72页
   ·本章小结第72-75页
第5章 完整和缺陷Ge纳米带的结构稳定性和电子特性第75-89页
   ·引言第75页
   ·计算方法和模型建立第75-78页
     ·计算方法第75-76页
     ·结构模型第76-78页
   ·完整Ge纳米带的电子特性和磁性第78-82页
   ·具有缺陷的Ge纳米带的电子特性和磁性第82-87页
     ·缺陷存在的扶手椅型Ge纳米带第82-85页
     ·缺陷存在的锯齿型Ge纳米带第85-87页
   ·本章小结第87-89页
第6章 过渡金属吸附的二维蜂巢Ge及其扶手椅型纳米带第89-103页
   ·引言第89-90页
   ·计算方法第90页
   ·结果与讨论第90-101页
     ·过渡金属吸附的二维蜂巢Ge第90-94页
     ·过渡金属吸附的扶手椅型Ge纳米带第94-97页
     ·半金属磁性纳米带的稳定性第97-101页
   ·本章小结第101-103页
第7章 N、B单掺杂和共掺杂Ge纳米带的电子特性和磁性第103-117页
   ·引言第103-104页
   ·计算方法第104-105页
   ·结果与讨论第105-116页
     ·掺杂的扶手椅型Ge纳米带第105-111页
     ·掺杂的锯齿型Ge纳米带第111-116页
   ·本章小结第116-117页
结论第117-121页
参考文献第121-137页
致谢第137-139页
攻读博士学位期间科研成果第139-140页

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