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硅基LSMO薄膜和异质结制备及其电磁性质研究

摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第一章 前言第11-21页
   ·磁电阻效应及其概况第11-12页
     ·磁电阻效应第11页
     ·磁电阻效应的发展概况第11-12页
   ·磁电阻薄膜材料的发展简介第12-14页
     ·正常磁电阻效应(OMR)薄膜第12页
     ·各向异性磁电阻效应(AMR)薄膜第12-13页
     ·巨磁电阻效应(GMR)薄膜第13页
     ·隧道磁电阻效应(TMR)薄膜第13页
     ·超大磁电阻效应(CMR)薄膜第13-14页
   ·锰氧化物中磁电阻效应的研究第14-18页
     ·氧化物磁电阻效应材料的研制第14-15页
     ·氧化物巨磁电阻材料物性的研究第15-18页
       ·电磁特性第15-16页
       ·稀土锰氧化物中的有序相第16-17页
       ·相分离第17-18页
       ·自旋玻璃第18页
   ·锰氧化物的应用研究第18-19页
     ·锰氧化物的异质p-n 结第18-19页
       ·锰氧化物异质结研究背景第18页
       ·锰氧化物p-n 结的整流特性及影响因素第18-19页
     ·锰氧化物其它应用第19页
   ·本文的研究目的与主要内容第19-21页
第二章 理论基础第21-30页
   ·锰基钙钛矿薄膜的基本特性第21-22页
     ·锰基钙钛矿的晶体结构第21-22页
     ·锰基钙钛矿的电子组态第22页
   ·双交换(Double Exchange)模型第22-25页
   ·Jahn-Teller 效应第25-26页
   ·双交换机理对绝缘体-金属和顺磁-铁磁转变的解释第26-28页
   ·双交换机理对超大磁电阻效应(CMR)的解释第28-30页
第三章 薄膜制备与测试技术第30-39页
   ·磁控溅射设备第30-31页
   ·直流磁控溅射的基本原理第31-35页
   ·工艺条件对薄膜性能影响的研究状况第35-37页
     ·基体的预处理第35页
     ·沉积工艺参数的影响第35页
     ·基体表面温度的影响第35-36页
     ·溅射功率的影响第36页
     ·工作气压的影响第36-37页
   ·薄膜测试技术第37-39页
     ·X 射线衍射技术第37-38页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第38-39页
第四章 硅基La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3薄膜的电磁输运行为第39-52页
   ·引言第39页
   ·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜样品的制备第39-41页
     ·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜制备的工艺流程第39页
     ·衬底的清洗方法第39-40页
     ·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜样品的制备过程第40-41页
   ·工艺参数对硅基LSMO 薄膜沉积速率的影响第41-44页
   ·薄膜样品结构分析第44-46页
     ·XRD 分析第44-45页
     ·SEM 分析第45-46页
   ·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜的输运性质第46-47页
   ·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜的电磁特性第47-52页
     ·电流对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜性质的影响第47-48页
     ·氧气氛退火对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜性质的影响第48-49页
     ·基片温度及外加磁场对磁电阻效应的影响第49-52页
第五章 La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结的整流特性的研究第52-62页
   ·引言第52页
   ·样品制备第52-53页
   ·气氛对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的影响第53-54页
   ·氮气氛退火对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的影响第54-55页
   ·氧气氛退火对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的影响第55-57页
   ·温度对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的影响第57-58页
   ·磁场对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的调制第58-62页
结论第62-64页
参考文献第64-68页
攻读硕士学位期间取得的学术成果第68-69页
致谢第69页

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