摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-11页 |
第一章 前言 | 第11-21页 |
·磁电阻效应及其概况 | 第11-12页 |
·磁电阻效应 | 第11页 |
·磁电阻效应的发展概况 | 第11-12页 |
·磁电阻薄膜材料的发展简介 | 第12-14页 |
·正常磁电阻效应(OMR)薄膜 | 第12页 |
·各向异性磁电阻效应(AMR)薄膜 | 第12-13页 |
·巨磁电阻效应(GMR)薄膜 | 第13页 |
·隧道磁电阻效应(TMR)薄膜 | 第13页 |
·超大磁电阻效应(CMR)薄膜 | 第13-14页 |
·锰氧化物中磁电阻效应的研究 | 第14-18页 |
·氧化物磁电阻效应材料的研制 | 第14-15页 |
·氧化物巨磁电阻材料物性的研究 | 第15-18页 |
·电磁特性 | 第15-16页 |
·稀土锰氧化物中的有序相 | 第16-17页 |
·相分离 | 第17-18页 |
·自旋玻璃 | 第18页 |
·锰氧化物的应用研究 | 第18-19页 |
·锰氧化物的异质p-n 结 | 第18-19页 |
·锰氧化物异质结研究背景 | 第18页 |
·锰氧化物p-n 结的整流特性及影响因素 | 第18-19页 |
·锰氧化物其它应用 | 第19页 |
·本文的研究目的与主要内容 | 第19-21页 |
第二章 理论基础 | 第21-30页 |
·锰基钙钛矿薄膜的基本特性 | 第21-22页 |
·锰基钙钛矿的晶体结构 | 第21-22页 |
·锰基钙钛矿的电子组态 | 第22页 |
·双交换(Double Exchange)模型 | 第22-25页 |
·Jahn-Teller 效应 | 第25-26页 |
·双交换机理对绝缘体-金属和顺磁-铁磁转变的解释 | 第26-28页 |
·双交换机理对超大磁电阻效应(CMR)的解释 | 第28-30页 |
第三章 薄膜制备与测试技术 | 第30-39页 |
·磁控溅射设备 | 第30-31页 |
·直流磁控溅射的基本原理 | 第31-35页 |
·工艺条件对薄膜性能影响的研究状况 | 第35-37页 |
·基体的预处理 | 第35页 |
·沉积工艺参数的影响 | 第35页 |
·基体表面温度的影响 | 第35-36页 |
·溅射功率的影响 | 第36页 |
·工作气压的影响 | 第36-37页 |
·薄膜测试技术 | 第37-39页 |
·X 射线衍射技术 | 第37-38页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第38-39页 |
第四章 硅基La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3薄膜的电磁输运行为 | 第39-52页 |
·引言 | 第39页 |
·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜样品的制备 | 第39-41页 |
·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜制备的工艺流程 | 第39页 |
·衬底的清洗方法 | 第39-40页 |
·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜样品的制备过程 | 第40-41页 |
·工艺参数对硅基LSMO 薄膜沉积速率的影响 | 第41-44页 |
·薄膜样品结构分析 | 第44-46页 |
·XRD 分析 | 第44-45页 |
·SEM 分析 | 第45-46页 |
·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜的输运性质 | 第46-47页 |
·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜的电磁特性 | 第47-52页 |
·电流对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜性质的影响 | 第47-48页 |
·氧气氛退火对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3 薄膜性质的影响 | 第48-49页 |
·基片温度及外加磁场对磁电阻效应的影响 | 第49-52页 |
第五章 La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结的整流特性的研究 | 第52-62页 |
·引言 | 第52页 |
·样品制备 | 第52-53页 |
·气氛对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的影响 | 第53-54页 |
·氮气氛退火对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的影响 | 第54-55页 |
·氧气氛退火对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的影响 | 第55-57页 |
·温度对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的影响 | 第57-58页 |
·磁场对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3/Si 异质结整流特性的调制 | 第58-62页 |
结论 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第68-69页 |
致谢 | 第69页 |