单层纳米晶颗粒膜的可控性制备与电荷存储特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-30页 |
| ·研究背景 | 第10-13页 |
| ·闪存单元的工作原理与发展现状 | 第13-17页 |
| ·未来闪存技术的发展方向 | 第17-21页 |
| ·High-K 材料的使用 | 第17-18页 |
| ·三维结构晶体管技术 | 第18-19页 |
| ·纳米晶浮动栅存储器 | 第19-21页 |
| ·纳米晶浮动栅研究现状 | 第21-28页 |
| ·半导体材料纳米晶浮动栅 | 第21-23页 |
| ·金属纳米晶浮动栅 | 第23-25页 |
| ·其它纳米晶浮动栅材料 | 第25-27页 |
| ·双层纳米晶浮动栅制备 | 第27-28页 |
| ·本论文的主要研究内容与思路 | 第28-30页 |
| 第2章 单层银纳米晶、铜纳米晶颗粒膜制备 | 第30-52页 |
| ·本章引言 | 第30-31页 |
| ·实验过程 | 第31-46页 |
| ·实验原理介绍 | 第31-32页 |
| ·银薄膜发生交联时的临界厚度测定 | 第32-36页 |
| ·银纳米晶平均粒径与分布密度控制 | 第36-44页 |
| ·衬底加热温度的作用 | 第44-46页 |
| ·铜纳米晶的制备与尺寸控制 | 第46-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 纳米晶浮动栅电荷存储能力讨论 | 第52-67页 |
| ·本章引言 | 第52页 |
| ·纳米晶材料选择对电荷存储能力的影响 | 第52-57页 |
| ·直接隧穿电流的表达式 | 第52-55页 |
| ·功函数对纳米晶电荷存储能力影响 | 第55-57页 |
| ·纳米晶粒径，绝缘层介电常数对电荷存储能力的影响 | 第57-65页 |
| ·纳米晶浮动栅结构与电荷存储量的关系 | 第57-58页 |
| ·金属材料的介电常数 | 第58-60页 |
| ·单个纳米晶存储的平均电荷量 | 第60-65页 |
| ·单个纳米晶和纳米晶浮动栅电荷存储能力讨论 | 第65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第4章 铁镍二元合金纳米晶制备 | 第67-75页 |
| ·本章引言 | 第67页 |
| ·溅射法制备铁镍二元合金纳米晶 | 第67-73页 |
| ·二元金属合金的功函数 | 第67-70页 |
| ·铁镍合金功函数 | 第70-72页 |
| ·铁镍合金纳米晶制备与成份偏离分析 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第5章 交替溅射法制备BST 纳米晶颗粒膜 | 第75-88页 |
| ·本章引言 | 第75-77页 |
| ·制备BST 纳米晶颗粒膜 | 第77-87页 |
| ·磁控溅射用BST 靶材的制备 | 第77-83页 |
| ·BST 纳米晶制备与表征 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第6章 C-V 曲线测量原理与实验 | 第88-103页 |
| ·本章引言 | 第88页 |
| ·C-V 测量简介 | 第88-97页 |
| ·栅极电容的组成 | 第89-91页 |
| ·半导体空间电荷区电容 | 第91-93页 |
| ·C-V 曲线分段物理意义 | 第93-95页 |
| ·非理想情况下的C-V 曲线 | 第95-97页 |
| ·C-V 曲线测量样品制备 | 第97-102页 |
| ·硅片表面清洗 | 第97-98页 |
| ·含银纳米晶的绝缘层制备过程 | 第98-99页 |
| ·C-V 曲线测量结果分析 | 第99-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第7章 结论 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第115页 |
