| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-12页 |
| 第1章 前言 | 第12-37页 |
| ·太阳能电池的发展背景 | 第12-13页 |
| ·太阳能电池的概念及工作原理 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池的概念 | 第13页 |
| ·太阳能电池的工作原理 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池的研究现状 | 第14-15页 |
| ·我国太阳电池的研究现状 | 第15页 |
| ·太阳能电池的分类 | 第15-17页 |
| ·硅系列太阳能电池 | 第15-16页 |
| ·聚合物多层修饰电极型太阳能电池 | 第16页 |
| ·纳米晶化学太阳能电池 | 第16-17页 |
| ·化合物薄膜太阳能电池 | 第17页 |
| ·太阳能电池的应用前景 | 第17-18页 |
| ·CIGSe 太阳能电池发展现状 | 第18-20页 |
| ·CIGSe 的材料性能 | 第18-19页 |
| ·CIGSe 系薄膜太阳能电池的优点 | 第19-20页 |
| ·CIGSe 太阳能电池的发展现状 | 第20页 |
| ·CIGSe 薄膜太阳能电池的结构组成 | 第20-21页 |
| ·CIGSe 薄膜太阳能电池的制备工艺流程 | 第21-22页 |
| ·研究CIGSe 太阳能电池的意义 | 第22页 |
| ·缓冲层的作用 | 第22-24页 |
| ·CIGSe 薄膜太阳电池异质结能带模型 | 第22-24页 |
| ·CIGSe 太阳电池对缓冲层的性能要求 | 第24页 |
| ·缓冲层所用材料及制备方法 | 第24-30页 |
| ·CdS 缓冲层 | 第24-27页 |
| ·CdS 缓冲层的作用 | 第25页 |
| ·CdS 缓冲层的制备方法 | 第25-26页 |
| ·CBD 方法制备CdS 薄膜的优点 | 第26页 |
| ·CBD 方法制备CdS 薄膜的缺点 | 第26页 |
| ·研究CdS 薄膜制备工艺的意义 | 第26-27页 |
| ·问题的提出 | 第27页 |
| ·ZnSe 缓冲层 | 第27-30页 |
| ·ZnSe 缓冲层的性能 | 第28页 |
| ·ZnSe 薄膜的制备方法 | 第28-29页 |
| ·真空蒸发制备ZnSe 的优缺点 | 第29页 |
| ·问题的提出 | 第29-30页 |
| ·本征ZnO 薄膜的制备 | 第30-36页 |
| ·ZnO 薄膜的性能 | 第30页 |
| ·本征ZnO 薄膜的作用 | 第30-31页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第31-35页 |
| ·直流溅射 | 第31-33页 |
| ·射频溅射 | 第33-34页 |
| ·磁控溅射 | 第34-35页 |
| ·问题提出 | 第35-36页 |
| ·主要研究内容 | 第36页 |
| ·技术路线 | 第36-37页 |
| 第2章 实验方法及实验仪器 | 第37-46页 |
| ·CdS 薄膜的制备 | 第37-40页 |
| ·化学浴沉积CdS 薄膜的原理 | 第37-38页 |
| ·化学浴沉积溶液的组成 | 第38页 |
| ·化学浴沉积的设备 | 第38-40页 |
| ·ZnSe 薄膜的制备 | 第40-42页 |
| ·ZnSe 薄膜制备设备 | 第40-42页 |
| ·制备ZnSe 薄膜所用原料 | 第42页 |
| ·本征ZnO 薄膜的制备 | 第42-43页 |
| ·本征ZnO 薄膜制备所用设备 | 第42-43页 |
| ·制备ZnO 薄膜所用靶材 | 第43页 |
| ·基底的制备 | 第43-44页 |
| ·玻璃基底的制备 | 第43-44页 |
| ·CIGSe 基底的制备 | 第44页 |
| ·主要性能测试仪器 | 第44-45页 |
| ·其它辅助设备 | 第45-46页 |
| 第3章 CdS 薄膜的制备及性能分析 | 第46-96页 |
| ·CdSO4 体系溶液沉积CdS 薄膜及性能分析 | 第46-67页 |
| ·沉积条件 | 第46-47页 |
| ·沉积溶液组成 | 第46-47页 |
| ·其它条件 | 第47页 |
| ·溶液pH 值对薄膜特性的影响 | 第47-52页 |
| ·pH 值对薄膜表面形貌的影响 | 第47-49页 |
| ·pH 值对薄膜透过率的影响 | 第49页 |
| ·pH 值对CdS 薄膜成分的影响 | 第49-50页 |
| ·pH 值对晶体结构的影响 | 第50-52页 |
| ·缓冲剂浓度对薄膜特性的影响 | 第52-55页 |
| ·缓冲剂调节溶液pH 值的原理 | 第52-53页 |
| ·缓冲剂浓度对CdS 薄膜表面形貌的影响 | 第53-54页 |
| ·缓冲剂对薄膜可见光透过率的影响 | 第54-55页 |
| ·沉积时间对薄膜特性的影响 | 第55-60页 |
| ·沉积时间对薄膜表面形貌的影响 | 第55-57页 |
| ·沉积时间对薄膜厚度的影响 | 第57-58页 |
| ·沉积时间对薄膜透过率的影响 | 第58-59页 |
| ·沉积时间对CdS 薄膜晶体结构的影响 | 第59-60页 |
| ·沉积时间对薄膜成分的影响 | 第60页 |
| ·沉积温度对CdS 薄膜特性的影响 | 第60-63页 |
| ·沉积温度对表面形貌的影响 | 第60-62页 |
| ·沉积温度对薄膜透过率的影响 | 第62-63页 |
| ·沉积基底对CdS 薄膜特性的影响 | 第63-65页 |
| ·加热方式对薄膜特性的影响 | 第65-67页 |
| ·Cd(CH_3COO)_2 体系溶液沉积CdS 薄膜及性能分析 | 第67-81页 |
| ·溶液组成 | 第67页 |
| ·pH 值对薄膜特性的影响 | 第67-70页 |
| ·pH 值对表面形貌的影响 | 第68-69页 |
| ·pH 值对可见光透过率的影响 | 第69-70页 |
| ·沉积时间对薄膜特性的影响 | 第70-72页 |
| ·沉积时间对薄膜表面形貌的影响 | 第70-71页 |
| ·沉积时间对薄膜可见光透过率的影响 | 第71-72页 |
| ·沉积温度对薄膜特性的影响 | 第72-74页 |
| ·沉积温度对薄膜表面形貌的影响 | 第72-73页 |
| ·沉积温度对薄膜可见光透过率的影响 | 第73-74页 |
| ·沉积基底对薄膜特性的影响 | 第74-76页 |
| ·Cd(CH_3COO)_2 溶液体系和CdSO_4 溶液体系的比较 | 第76-81页 |
| ·不同沉积温度条件下两种溶液体系沉积CdS 薄膜的比较 | 第76-77页 |
| ·不同沉积时间条件下两种溶液体系沉积CdS 薄膜的比较 | 第77-79页 |
| ·不同氨水体积条件下两溶液体系沉积CdS 薄膜的比较 | 第79-81页 |
| ·络合剂对CdS 薄膜性质的影响 | 第81-89页 |
| ·溶液组成 | 第81-82页 |
| ·柠檬酸溶液体系中各实验参数对CdS 薄膜性能的影响 | 第82-89页 |
| ·pH 值对CdS 薄膜性能的影响 | 第82-86页 |
| ·沉积温度对薄膜特性的影响 | 第86-88页 |
| ·沉积时间对薄膜特性的影响 | 第88-89页 |
| ·溶液稳定性研究 | 第89-94页 |
| ·溶液的组成 | 第90页 |
| ·溶液静置时间对薄膜性能的影响 | 第90-94页 |
| ·静置时间对表面形貌的影响 | 第91-93页 |
| ·静置时间对薄膜透过率的影响 | 第93-94页 |
| ·本章结论 | 第94-96页 |
| 第4章 ZnSe 薄膜制备及性能研究 | 第96-121页 |
| ·ZnSe 薄膜的特性 | 第96-99页 |
| ·ZnSe 薄膜的本征吸收 | 第96-97页 |
| ·ZnSe 薄膜的结构 | 第97-98页 |
| ·ZnSe 薄膜的表面形貌 | 第98-99页 |
| ·工艺参数对ZnSe 薄膜性能的影响 | 第99-117页 |
| ·蒸发时间对ZnSe 薄膜性能的影响 | 第100-107页 |
| ·蒸发时间对薄膜表面形貌的影响 | 第100-102页 |
| ·蒸发时间对薄膜表面粗糙度的影响 | 第102-104页 |
| ·蒸发时间对薄膜晶体结构的影响 | 第104-105页 |
| ·蒸发时间对薄膜厚度的影响 | 第105页 |
| ·蒸发时间对薄膜光透过率的影响 | 第105-107页 |
| ·基底温度对薄膜性能的影响 | 第107-112页 |
| ·基底温度对表面形貌的影响 | 第107-108页 |
| ·基底温度对薄膜表面粗糙度的影响 | 第108-110页 |
| ·基底温度对薄膜晶体结构的影响 | 第110页 |
| ·基底温度对薄膜光透过率的影响 | 第110-112页 |
| ·基底温度对薄膜沉积速率的影响 | 第112页 |
| ·退火温度对薄膜性能的影响 | 第112-117页 |
| ·退火条件对薄膜表面形貌的影响 | 第113-114页 |
| ·退火条件对薄膜晶体结构的影响 | 第114-115页 |
| ·退火条件对薄膜光透过率的影响 | 第115-117页 |
| ·ZnSe 薄膜制备工艺的优化 | 第117-119页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第117-118页 |
| ·薄膜晶体结构分析 | 第118-119页 |
| ·薄膜透过率及厚度分析 | 第119页 |
| ·本章结论 | 第119-121页 |
| 第5章 本征ZnO 薄膜的制备与性能研究 | 第121-137页 |
| ·基底温度对薄膜特性的影响 | 第122-125页 |
| ·基底温度对表面形貌的影响 | 第122-123页 |
| ·基底温度对薄膜透过率的影响 | 第123-124页 |
| ·基底温度对晶体结构的影响 | 第124-125页 |
| ·基底温度对ZnO 薄膜沉积速率的影响 | 第125页 |
| ·溅射电流对薄膜特性的影响 | 第125-129页 |
| ·溅射电流对薄膜表面形貌的影响 | 第126-127页 |
| ·溅射电流对薄膜透过率的影响 | 第127页 |
| ·溅射电流对薄膜晶体结构的影响 | 第127-128页 |
| ·溅射电流对薄膜沉积速率的影响 | 第128-129页 |
| ·氧分压对薄膜特性的影响 | 第129-132页 |
| ·氧分压对ZnO 表面形貌的影响 | 第129-130页 |
| ·氧分压对薄膜透过率的影响 | 第130页 |
| ·氧分压对晶体结构的影响 | 第130-132页 |
| ·氧分压对沉积速率的影响 | 第132页 |
| ·溅射时间对薄膜特性的影响 | 第132-135页 |
| ·溅射时间对薄膜表面形貌的影响 | 第132-133页 |
| ·溅射时间对薄膜晶体结构的影响 | 第133-134页 |
| ·溅射时间对透过率的影响 | 第134-135页 |
| ·溅射时间对薄膜厚度的影响 | 第135页 |
| ·本章结论 | 第135-137页 |
| 第6章 结论 | 第137-139页 |
| 参考文献 | 第139-143页 |
| 致谢 | 第143-144页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第144页 |
