| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| ·GaN材料介绍 | 第10-14页 |
| ·宽禁带半导体材料发展简介 | 第10页 |
| ·GaN材料性质 | 第10-14页 |
| ·GaN基LED介绍 | 第14-17页 |
| ·LED原理 | 第14-15页 |
| ·LED的优势 | 第15页 |
| ·GaN基LED的发展现状 | 第15-17页 |
| ·GaN基LED衬底材料的选择 | 第17-21页 |
| 2 实验生长设备和测试技术 | 第21-30页 |
| ·MOCVD设备介绍 | 第21-24页 |
| ·测试技术 | 第24-30页 |
| ·积分球 | 第24-26页 |
| ·X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第26-28页 |
| ·光致发光谱(Photoluminescence,PL) | 第28-29页 |
| ·电致发光谱(Electroluminescent,EL) | 第29页 |
| ·电流-电压测试系统 | 第29-30页 |
| 3 蓝宝石衬底GaN基绿光LED的制备与特性研究 | 第30-39页 |
| ·前言 | 第30页 |
| ·蓝宝石衬底GaN基绿光LED外延片的制备 | 第30-31页 |
| ·实验结果与讨论 | 第31-39页 |
| ·电致发光特性研究 | 第31-35页 |
| ·量子阱中In组份计算 | 第35-39页 |
| 4 低温GaN插入层对绿光LED性能的影响探究 | 第39-43页 |
| ·前言 | 第39页 |
| ·使用低温GaN层的绿光LED制备 | 第39-40页 |
| ·实验结果与分析 | 第40-43页 |
| 5 SiC衬底GaN基蓝光LED的制备与性质研究 | 第43-50页 |
| ·前言 | 第43页 |
| ·SiC衬底上制备GaN基蓝光LED | 第43-45页 |
| ·SiC衬底GaN基蓝光LED电致发光测试与分析 | 第45-46页 |
| ·SiC衬底GaN基蓝光LED理想因子研究 | 第46-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
