| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·硅基纳米薄膜材料的研究进展 | 第10-14页 |
| ·Ge/Si多层薄膜 | 第10-11页 |
| ·nc-Si/SiO_2超晶格 | 第11-13页 |
| ·镶嵌在SiO_2基质中的Sn纳米晶 | 第13-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 薄膜的制备和测试方法 | 第16-26页 |
| ·薄膜制备技术 | 第16-20页 |
| ·磁控溅射的基本原理及特点 | 第16-19页 |
| ·磁控溅射仪设备简述 | 第19-20页 |
| ·薄膜的沉积过程 | 第20-23页 |
| ·溅射的成膜过程 | 第20页 |
| ·薄膜的生长模式与过程 | 第20-23页 |
| ·基片的预处理 | 第23页 |
| ·薄膜表征 | 第23-26页 |
| ·膜厚的测量 | 第23-24页 |
| ·拉曼散射 | 第24页 |
| ·X-射线衍射 | 第24页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| ·荧光光谱 | 第25-26页 |
| 3 溅射制备Ge/Si多层薄膜及性能研究 | 第26-40页 |
| ·实验方案 | 第26-27页 |
| ·溅射参数对Ge/Si多层薄膜的影响 | 第27-39页 |
| ·各溅射参数对薄膜厚度的影响 | 第27-31页 |
| ·不同衬底温度下制备Ge/Si多层薄膜的XRD分析 | 第31-33页 |
| ·不同溅射功率和气压下制备Ge/Si多层薄膜的SEM分析 | 第33-36页 |
| ·不同退火温度下Ge/Si多层薄膜的Raman分析 | 第36-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 4 溅射制备Si/SiO_2超晶格薄膜及其发光性能研究 | 第40-52页 |
| ·实验方案 | 第40-41页 |
| ·Si/SiO_2超晶格结构分析 | 第41-45页 |
| ·不同退火温度下Si/SiO_2超晶格的Raman和XRD分析 | 第41-43页 |
| ·不同溅射功率下Si/SiO_2超晶格的SEM分析 | 第43-45页 |
| ·Si/SiO_2超晶格发光性能的研究 | 第45-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 5 溅射制备镶嵌Sn纳米晶的SiO_2薄膜及其发光性能研究 | 第52-63页 |
| ·实验方案 | 第52页 |
| ·薄膜结构分析 | 第52-60页 |
| ·不同衬底温度下制备Sn_xSi_(1-x)/SiO_2薄膜的Raman和XRD分析 | 第53-55页 |
| ·不同退火温度下Sn_xSi_(1-x)/SiO_2薄膜的Raman和XRD分析 | 第55-58页 |
| ·不同退火温度下Sn_xSi_(1-x)/SiO_2薄膜的SEM分析 | 第58-60页 |
| ·Sn_xSi_(1-x)/SiO_2薄膜发光性能研究 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 6 结论和展望 | 第63-65页 |
| ·主要结论 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
