| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| ·概述 | 第8-9页 |
| ·溅射技术与等离子体 | 第9-12页 |
| ·溅射技术理论基础 | 第9-10页 |
| ·气体放电 | 第10-11页 |
| ·等离子体 | 第11-12页 |
| ·非平衡闭合场磁控溅射离子镀 | 第12-13页 |
| ·磁控溅射离子镀 | 第12页 |
| ·非平衡磁控溅射离子镀 | 第12-13页 |
| ·非平衡闭合场磁控溅射离子镀 | 第13页 |
| ·薄膜生长和薄膜结构 | 第13-17页 |
| ·薄膜生长 | 第13-15页 |
| ·薄膜结构 | 第15-17页 |
| ·带电粒子在电磁场中的运动方式 | 第17-19页 |
| ·课题研究 | 第19-22页 |
| ·课题目的及意义 | 第19页 |
| ·课题研究内容 | 第19-20页 |
| ·技术路线 | 第20-22页 |
| 2 实验方案 | 第22-28页 |
| ·实验基体材料及其预处理 | 第22页 |
| ·实验基体材料 | 第22页 |
| ·基体预处理 | 第22页 |
| ·实验参数设计 | 第22-24页 |
| ·不同磁场闭合状态选择 | 第22-23页 |
| ·实验主要工艺参数设计 | 第23-24页 |
| ·制备镀层 | 第24-25页 |
| ·实验设备 | 第24页 |
| ·实验中基体放置位置 | 第24-25页 |
| ·镀膜过程 | 第25页 |
| ·镀层检测 | 第25-28页 |
| ·镀层性能检测 | 第25-26页 |
| ·镀层组织结构检测 | 第26-28页 |
| 3 不同磁场闭合状态磁场分布模拟和电参数分析 | 第28-34页 |
| ·单个磁控管靶表面磁场分布测量与模拟 | 第28-29页 |
| ·不同磁场闭合状态磁场分布模拟 | 第29-30页 |
| ·不同磁场闭合状态靶材电压、溅射功率和基体偏流分析 | 第30-32页 |
| ·不同磁场闭合状态镀层沉积速率分析 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 4 磁场闭合状态对磁控溅射沉积纯Cr镀层生长过程的影响 | 第34-52页 |
| ·不同磁场闭合状态沉积纯Cr镀层生长过程SEM分析 | 第34-40页 |
| ·单晶硅基体表面形貌 | 第34页 |
| ·离子清洗20min纯Cr镀层表面形貌 | 第34-35页 |
| ·沉积过镀层4min纯Cr镀层表面形貌和截面组织 | 第35-36页 |
| ·沉积镀层15min纯Cr镀层表面形貌和截面组织 | 第36-37页 |
| ·沉积镀层60min纯Cr镀层表面形貌和截面组织 | 第37-38页 |
| ·沉积镀层180min纯Cr镀层表面形貌和截面组织 | 第38-40页 |
| ·不同磁场闭合状态沉积纯Cr镀层生长过程XRD分析 | 第40-45页 |
| ·不同磁场闭合状态沉积纯Cr镀层生长过程中晶体类型和应力分析 | 第40-44页 |
| ·不同磁场闭合状态沉积纯Cr镀层生长过程中晶体择优生长趋势分析 | 第44-45页 |
| ·不同磁场闭合状态沉积纯Cr镀层生长过程中表面粗糙度分析 | 第45-48页 |
| ·不同磁场闭合状态沉积纯Cr镀层生长过程中方块电阻分析 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 5 磁场闭合状态对磁控溅射沉积纯Cr镀层生长过程的影响机理 | 第52-62页 |
| ·镀层生长过程描述 | 第52-56页 |
| ·镀层形核理论及其影响因素 | 第52-55页 |
| ·连续膜的形成和厚膜生长 | 第55-56页 |
| ·金属Cr结晶学特征 | 第56-57页 |
| ·磁场闭合状态对磁控溅射沉积纯Cr镀层生长过程的影响机理 | 第57-62页 |
| ·磁场闭合状态对磁控溅射沉积纯Cr镀层形核过程的影响机理 | 第58页 |
| ·磁场闭合状态对磁控溅射沉积纯Cr镀层晶粒长大模式的影响机理 | 第58-59页 |
| ·磁场闭合状态对磁控溅射沉积纯Cr镀层三维生长模式的影响机理 | 第59-60页 |
| ·磁场闭合状态对磁控溅射沉积纯Cr镀层择优生长趋势和组织的影响机理 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68页 |
