| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-39页 |
| 引言 | 第13-15页 |
| ·氧化锌材料综述 | 第15-19页 |
| ·晶体结构 | 第15-16页 |
| ·发光性质 | 第16-17页 |
| ·电学性质 | 第17-18页 |
| ·其它性质 | 第18页 |
| ·研究现状 | 第18-19页 |
| ·氮化铝材料综述 | 第19-23页 |
| ·基本性质 | 第19-21页 |
| ·应用及研究现状 | 第21-23页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第23-30页 |
| ·溶胶-凝胶技术 | 第23-24页 |
| ·磁控溅射技术 | 第24页 |
| ·脉冲激光淀积技术 | 第24-25页 |
| ·分子束外延技术 | 第25-26页 |
| ·化学气相淀积技术 | 第26-27页 |
| ·金属有机物化学气相沉积技术 | 第27-30页 |
| ·薄膜的测量技术 | 第30-35页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第30-31页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第31-32页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第32页 |
| ·伏安特性测量(I-V) | 第32-33页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第34-35页 |
| ·本论文主要工作 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第二章 MOCVD 设备的改进及其对 ZnO 薄膜生长的影响 | 第39-52页 |
| ·MOCVD设备简介 | 第39-43页 |
| ·气体纯化 | 第39-40页 |
| ·管路系统 | 第40-41页 |
| ·预置真空室 | 第41页 |
| ·反应室 | 第41-42页 |
| ·真空机组 | 第42-43页 |
| ·尾气处理及应急系统 | 第43页 |
| ·设备整修及对ZnO薄膜生长的影响 | 第43-50页 |
| ·设备整修 | 第43-46页 |
| ·进气模式对ZnO 薄膜生长的影响 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第三章 ZnO 薄膜的生长条件和生长机理研究 | 第52-73页 |
| ·锌氧源浓度比对ZnO薄膜生长的影响 | 第52-54页 |
| ·生长温度对ZnO薄膜生长的影响 | 第54-57页 |
| ·不同缓冲层对ZnO薄膜生长的影响 | 第57-64页 |
| ·Zn 缓冲层 | 第58-59页 |
| ·低温淀积—高温退火同质缓冲层 | 第59-61页 |
| ·高温生长同质缓冲层 | 第61-64页 |
| ·衬底RF预处理功率对ZnO薄膜生长的影响 | 第64-67页 |
| ·热处理对ZnO薄膜结晶的影响 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第四章 ZnO薄膜生长中本征缺陷的控制及其对发光的影响 | 第73-100页 |
| 引言 | 第73-74页 |
| ·锌氧源流量比对ZnO薄膜发光性质的影响 | 第74-83页 |
| ·样品制备与表征 | 第75页 |
| ·PL 光谱分析 | 第75-76页 |
| ·XRD分析 | 第76-77页 |
| ·XPS 谱分析 | 第77-81页 |
| ·伏安特性分析 | 第81-83页 |
| ·生长温度对ZnO薄膜发光性质的影响 | 第83-88页 |
| ·样品制备与表征 | 第83页 |
| ·XRD分析 | 第83-84页 |
| ·XPS 谱分析 | 第84-86页 |
| ·PL 光谱分析 | 第86-88页 |
| ·热处理对ZnO薄膜发光性质的影响 | 第88-97页 |
| ·样品制备与表征 | 第89页 |
| ·XRD分析 | 第89-90页 |
| ·AFM 表面分析 | 第90-92页 |
| ·XPS 谱分析 | 第92-94页 |
| ·伏安特性分析 | 第94-95页 |
| ·PL 光谱分析 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-100页 |
| 第五章 射频辅助MOCVD生长a轴择优取向AlN薄膜 | 第100-121页 |
| 引言 | 第100页 |
| ·AlN 薄膜的生长 | 第100-101页 |
| ·载气流量对AlN 薄膜性质的影响 | 第101-105页 |
| ·样品制备 | 第101-102页 |
| ·XRD分析 | 第102-103页 |
| ·SEM 分析 | 第103-105页 |
| ·衬底温度对AlN 薄膜性质的影响 | 第105-108页 |
| ·样品制备 | 第105-106页 |
| ·XRD分析 | 第106页 |
| ·SEM 分析 | 第106-108页 |
| ·RF裂解功率对AlN薄膜性质的影响 | 第108-112页 |
| ·样品制备 | 第108-109页 |
| ·XRD分析 | 第109-110页 |
| ·SEM 分析 | 第110-112页 |
| ·ZnO/AlN/Si 结构初步探索 | 第112-118页 |
| ·本章小结 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-121页 |
| 第六章 总结与展望 | 第121-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 论文期间成果 | 第125-126页 |
