| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第17-33页 |
| 1.1 传感器的种类 | 第17-19页 |
| 1.1.1 色谱质谱法 | 第18页 |
| 1.1.2 光学传感器 | 第18页 |
| 1.1.3 压电传感器 | 第18页 |
| 1.1.4 导电聚合物传感器 | 第18-19页 |
| 1.1.5 MOX传感器 | 第19页 |
| 1.1.6 FET传感器 | 第19页 |
| 1.2 MOX气体传感器的性能 | 第19-27页 |
| 1.2.1 影响MOX气体传感器灵敏度的因素 | 第20-26页 |
| 1.2.2 影响MOX气体传感器选择性的因素 | 第26页 |
| 1.2.3 影响MOX气体传感器稳定性的因素 | 第26-27页 |
| 1.3 ZnO气敏传感器 | 第27-30页 |
| 1.3.1 ZnO的点缺陷 | 第28-29页 |
| 1.3.2 ZnO的气敏机制 | 第29-30页 |
| 1.4 论文的研究思路和研究内容 | 第30-33页 |
| 第2章 ZnO纳米梳传感器的贵金属修饰作用 | 第33-47页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 实验过程 | 第33-36页 |
| 2.2.1 ZnO纳米梳的合成和表征 | 第33-35页 |
| 2.2.2 ZnO纳米梳场效应晶体管的制备 | 第35页 |
| 2.2.3 气敏性能测试 | 第35-36页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第36-44页 |
| 2.3.1 ZnO纳米梳的形貌与结构 | 第36-40页 |
| 2.3.2 单个ZnO纳米梳场效应晶体管的电学性能 | 第40-41页 |
| 2.3.3 单个ZnO纳米梳气体传感器的气敏性能 | 第41-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-47页 |
| 第3章 ZnO纳米线传感器的晶体缺陷依赖的气敏机制 | 第47-67页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 实验过程 | 第48-49页 |
| 3.2.1 ZnO纳米线的合成和表征 | 第48页 |
| 3.2.2 单根ZnO纳米线场效应晶体管的制备 | 第48-49页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第49-64页 |
| 3.3.1 ZnO纳米线的形貌与结构 | 第49-51页 |
| 3.3.2 单根ZnO纳米线气体传感器的气敏性能 | 第51-53页 |
| 3.3.3 单根ZnO纳米线场效应晶体管的电学性能 | 第53-56页 |
| 3.3.4 单根ZnO纳米线的晶体缺陷 | 第56-61页 |
| 3.3.5 ZnO纳米线接触的气体传感器的气敏性能 | 第61-62页 |
| 3.3.6 气敏传感器的气敏机制 | 第62-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-67页 |
| 第4章 气体传感器信号的调制 | 第67-87页 |
| 4.1 引言 | 第67-68页 |
| 4.2 耗尽型晶体管信号的放大效应 | 第68-82页 |
| 4.2.1 微弱信号捕捉与放大的设计思路 | 第68-70页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第70-71页 |
| 4.2.3 实验结果与讨论 | 第71-82页 |
| 4.2.4 小结 | 第82页 |
| 4.3 增强型晶体管的信号缩小效应 | 第82-85页 |
| 4.3.1 n型增强型晶体管信号缩小效应 | 第82-84页 |
| 4.3.2 p型增强型晶体管信号缩小效应 | 第84-85页 |
| 4.3.3 小结 | 第85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-87页 |
| 第5章 用于检测微量VOCs的组合p+n晶体管电路 | 第87-111页 |
| 5.1 微量二甲苯的检测 | 第87-98页 |
| 5.1.1 实验部分 | 第88页 |
| 5.1.2 结果与讨论 | 第88-97页 |
| 5.1.3 小结 | 第97-98页 |
| 5.2 微量丙酮的检测 | 第98-109页 |
| 5.2.1 实验部分 | 第98-99页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第99-108页 |
| 5.2.3 小结 | 第108-109页 |
| 5.3 本章结论 | 第109-111页 |
| 第6章 晶体管缩小效应的应用 | 第111-121页 |
| 6.1 引言 | 第111-112页 |
| 6.2 电路设计 | 第112-113页 |
| 6.3 实验 | 第113页 |
| 6.3.1 晶体管的电学性能测试 | 第113页 |
| 6.3.2 气敏性能测试 | 第113页 |
| 6.4 结果与讨论 | 第113-120页 |
| 6.4.1 EMFET的缩小效应 | 第113-116页 |
| 6.4.2 缩放p+n晶体管 | 第116-118页 |
| 6.4.3 缩放p+n晶体管的工作机制 | 第118-120页 |
| 6.5 结论 | 第120-121页 |
| 第7章 结论与展望 | 第121-125页 |
| 7.1 结论 | 第121-122页 |
| 7.2 创新性 | 第122-123页 |
| 7.3 展望 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-141页 |
| 致谢 | 第141-143页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第143-144页 |
