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低维全碳复合材料的光电性能研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第13-50页
    1.1 引言第13-14页
    1.2 低维碳材料的基本特征第14-19页
        1.2.1 0D C_(60)的合成及基本性质第14页
        1.2.2 1D碳纳米管的合成及基本性质第14-16页
        1.2.3 2D石墨烯的制备及基本性质第16-19页
    1.3 低维碳材料器件应用第19-31页
        1.3.1 电子学器件第19-26页
        1.3.2 光电探测器件第26-31页
    1.4 全碳异质结的构筑及应用第31-34页
    1.5 神经突触仿生第34-40页
        1.5.1 电子神经元突触器件第34-38页
        1.5.2 光子神经突触第38-40页
    1.6 选题意义及论文结构第40-42页
    本章参考文献第42-50页
第二章 光电探测器的物理机制与性能指标第50-61页
    2.1 光电探测器基本原理第50-54页
        2.1.1 光电导效应第50-52页
        2.1.2 光伏效应第52-53页
        2.1.3 光热电效应第53-54页
        2.1.4 光热辐射效应第54页
    2.2 光电探测器的性能指标第54-55页
    2.3 石墨烯基光电探测器的制备第55-57页
        2.3.1 石墨烯的转移第56页
        2.3.2 器件的制备工艺第56-57页
    2.4 光电探测器性能表征第57-59页
    本章参考文献第59-61页
第三章 基于OD C_(60)晶体管的光电探测器研究第61-69页
    3.1 引言第61-62页
    3.2 C_(60)在BN表面的生长与表征第62-63页
    3.3 C_(60) FET的制备第63-64页
    3.4 C_(60) FET的电学及光电性质测试第64-67页
        3.4.1 电学性能测试第64-65页
        3.4.2 光电性能测试第65-67页
    3.5 本章小结第67-68页
    本章参考文献第68-69页
第四章 石墨烯/C_(60)异质结光电探测器第69-92页
    4.1 引言第69-70页
    4.2 石墨烯/C_(60)复合器件的制备第70-75页
        4.2.1 C_(60)薄膜的制备第70-74页
        4.2.2 石墨烯/C_(60)光电探测器的制备第74页
        4.2.3 石墨烯/C_(60)界面电荷转移第74-75页
    4.3 石墨烯/C_(60)器件的光电性能第75-84页
        4.3.1 石墨烯/C_(60)界面光电表征第75-78页
        4.3.2 石墨烯/C_(60)界面光生载流子动力学第78-84页
    4.4 石墨烯/C_(60)柔性器件第84-87页
        4.4.1 石墨烯/C_(60)柔性器件的制备第84页
        4.4.2 石墨烯/C_(60)柔性器件的光电性能第84-86页
        4.4.3 石墨烯/C_(60)柔性器件弯曲状态下的光电性能第86-87页
    4.5 本章小结第87-89页
    本章参考文献第89-92页
第五章 石墨烯-碳纳米管异质结光子突触器件第92-111页
    5.1 引言第93-94页
    5.2 石墨烯-碳纳米管器件的制备第94-97页
        5.2.1 碳纳米管的制备第94-95页
        5.2.2 石墨烯-碳纳米管器件的材料表征第95-96页
        5.2.3 石墨烯-碳纳米管的制备第96-97页
    5.3 石墨烯-碳纳米管模拟光神经突触第97-108页
        5.3.1 神经突触短时程可塑性第97-100页
        5.3.2 神经突触双脉冲易化第100-102页
        5.3.3 神经突触长时程可塑性第102-106页
        5.3.4 神经突触网络构建及光逻辑运算第106-108页
    5.4 本章小结第108-109页
    本章参考文献第109-111页
第六章 总结与展望第111-114页
    6.1 总结第111-112页
    6.2 展望第112-114页
致谢第114-115页
博士期间研究成果第115-116页

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