摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-50页 |
1.1 引言 | 第13-14页 |
1.2 低维碳材料的基本特征 | 第14-19页 |
1.2.1 0D C_(60)的合成及基本性质 | 第14页 |
1.2.2 1D碳纳米管的合成及基本性质 | 第14-16页 |
1.2.3 2D石墨烯的制备及基本性质 | 第16-19页 |
1.3 低维碳材料器件应用 | 第19-31页 |
1.3.1 电子学器件 | 第19-26页 |
1.3.2 光电探测器件 | 第26-31页 |
1.4 全碳异质结的构筑及应用 | 第31-34页 |
1.5 神经突触仿生 | 第34-40页 |
1.5.1 电子神经元突触器件 | 第34-38页 |
1.5.2 光子神经突触 | 第38-40页 |
1.6 选题意义及论文结构 | 第40-42页 |
本章参考文献 | 第42-50页 |
第二章 光电探测器的物理机制与性能指标 | 第50-61页 |
2.1 光电探测器基本原理 | 第50-54页 |
2.1.1 光电导效应 | 第50-52页 |
2.1.2 光伏效应 | 第52-53页 |
2.1.3 光热电效应 | 第53-54页 |
2.1.4 光热辐射效应 | 第54页 |
2.2 光电探测器的性能指标 | 第54-55页 |
2.3 石墨烯基光电探测器的制备 | 第55-57页 |
2.3.1 石墨烯的转移 | 第56页 |
2.3.2 器件的制备工艺 | 第56-57页 |
2.4 光电探测器性能表征 | 第57-59页 |
本章参考文献 | 第59-61页 |
第三章 基于OD C_(60)晶体管的光电探测器研究 | 第61-69页 |
3.1 引言 | 第61-62页 |
3.2 C_(60)在BN表面的生长与表征 | 第62-63页 |
3.3 C_(60) FET的制备 | 第63-64页 |
3.4 C_(60) FET的电学及光电性质测试 | 第64-67页 |
3.4.1 电学性能测试 | 第64-65页 |
3.4.2 光电性能测试 | 第65-67页 |
3.5 本章小结 | 第67-68页 |
本章参考文献 | 第68-69页 |
第四章 石墨烯/C_(60)异质结光电探测器 | 第69-92页 |
4.1 引言 | 第69-70页 |
4.2 石墨烯/C_(60)复合器件的制备 | 第70-75页 |
4.2.1 C_(60)薄膜的制备 | 第70-74页 |
4.2.2 石墨烯/C_(60)光电探测器的制备 | 第74页 |
4.2.3 石墨烯/C_(60)界面电荷转移 | 第74-75页 |
4.3 石墨烯/C_(60)器件的光电性能 | 第75-84页 |
4.3.1 石墨烯/C_(60)界面光电表征 | 第75-78页 |
4.3.2 石墨烯/C_(60)界面光生载流子动力学 | 第78-84页 |
4.4 石墨烯/C_(60)柔性器件 | 第84-87页 |
4.4.1 石墨烯/C_(60)柔性器件的制备 | 第84页 |
4.4.2 石墨烯/C_(60)柔性器件的光电性能 | 第84-86页 |
4.4.3 石墨烯/C_(60)柔性器件弯曲状态下的光电性能 | 第86-87页 |
4.5 本章小结 | 第87-89页 |
本章参考文献 | 第89-92页 |
第五章 石墨烯-碳纳米管异质结光子突触器件 | 第92-111页 |
5.1 引言 | 第93-94页 |
5.2 石墨烯-碳纳米管器件的制备 | 第94-97页 |
5.2.1 碳纳米管的制备 | 第94-95页 |
5.2.2 石墨烯-碳纳米管器件的材料表征 | 第95-96页 |
5.2.3 石墨烯-碳纳米管的制备 | 第96-97页 |
5.3 石墨烯-碳纳米管模拟光神经突触 | 第97-108页 |
5.3.1 神经突触短时程可塑性 | 第97-100页 |
5.3.2 神经突触双脉冲易化 | 第100-102页 |
5.3.3 神经突触长时程可塑性 | 第102-106页 |
5.3.4 神经突触网络构建及光逻辑运算 | 第106-108页 |
5.4 本章小结 | 第108-109页 |
本章参考文献 | 第109-111页 |
第六章 总结与展望 | 第111-114页 |
6.1 总结 | 第111-112页 |
6.2 展望 | 第112-114页 |
致谢 | 第114-115页 |
博士期间研究成果 | 第115-116页 |