| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第8-10页 |
| 第2章 集成电路布图设计综述 | 第10-23页 |
| 2.1 集成电路布图设计的基础理论 | 第10-15页 |
| 2.1.1 集成电路布图设计的概念 | 第10-11页 |
| 2.1.2 集成电路布图设计的特点 | 第11-13页 |
| 2.1.3 集成电路布图设计专门立法 | 第13-15页 |
| 2.2 集成电路布图设计的国际保护分析 | 第15-23页 |
| 2.2.1 集成电路布图设计国际保护状况 | 第15-17页 |
| 2.2.2 集成电路布图设计知识产权国际保护的缺陷 | 第17-19页 |
| 2.2.3 集成电路布图设计国际保护缺陷的原因分析 | 第19-23页 |
| 第3章 关于集成电路布图设计的国际条约 | 第23-28页 |
| 3.1 《集成电路知识产权的华盛顿条约》 | 第23-24页 |
| 3.1.1 《华盛顿条约》的由来及现状 | 第23页 |
| 3.1.2 《华盛顿条约》的主要内容 | 第23-24页 |
| 3.2 《与贸易有关的知识产权协定》TRIPS | 第24-28页 |
| 3.2.1 TRIPS有关规定和《华盛顿条约》的联系 | 第24-25页 |
| 3.2.2 《华盛顿条约》与TRIPS的比较 | 第25-28页 |
| 第4章 关于集成电路布图设计的国家和区域立法 | 第28-33页 |
| 4.1 国家和区域的早期立法 | 第28-33页 |
| 4.1.1 美国的《半导体芯片保护法》 | 第28-29页 |
| 4.1.2 日本的《关于半导体集成电路的电路布局法》 | 第29-30页 |
| 4.1.3 欧共体的《半导体产品布图设计法律保护的理事会指令》 | 第30-31页 |
| 4.1.4 中国的《集成电路布图设计保护条例》 | 第31-33页 |
| 第5章 布图设计国际法保护缺陷的完善路径及国内启示 | 第33-42页 |
| 5.1 对集成电路布图设计国际法保护缺陷的完善路径分析 | 第33-37页 |
| 5.1.1 修订不合时宜的国际知识产权规则 | 第34页 |
| 5.1.2 探索多元化的国际知识产权保护模式 | 第34-35页 |
| 5.1.3 推动跨国公司在国际法制建设中发挥积极影响 | 第35-37页 |
| 5.2 完善集成电路布图设计国际法保护的国内启示 | 第37-42页 |
| 5.2.1 完善集成电路布图设计专有权登记制度 | 第37-39页 |
| 5.2.2 提高集成电路布图设计专有权保护的立法层次 | 第39-40页 |
| 5.2.3 增设对侵犯集成电路布图设计专有权的海关禁令 | 第40页 |
| 5.2.4 增加侵犯集成电路布图设计专有权的刑事责任 | 第40-42页 |
| 第6章 结论与展望 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
