| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 低地球轨道空间环境对空间飞行器的影响 | 第9-11页 |
| 1.2.1 原子氧（AO）对空间飞行器的影响 | 第10页 |
| 1.2.2 热循环及空间碎片对空间材料的影响 | 第10-11页 |
| 1.3 金属基复合材料 | 第11-15页 |
| 1.3.1 金属基复合材料概述 | 第11-12页 |
| 1.3.2 金属基复合材料制备方法 | 第12-15页 |
| 1.4 纳米多孔材料 | 第15-17页 |
| 1.4.1 纳米多孔材料概述 | 第15-16页 |
| 1.4.2 金属纳米多孔材料的制备技术 | 第16-17页 |
| 1.5 阳极氧化法制备纳米多孔结构 | 第17-19页 |
| 1.5.1 阳极氧化法概述 | 第17页 |
| 1.5.2 阳极氧化法制备纳米多孔结构原理 | 第17-19页 |
| 1.6 研究背景、意义和主要内容 | 第19-23页 |
| 1.6.1 研究背景及意义 | 第19-20页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第20-21页 |
| 1.6.3 创新点 | 第21-23页 |
| 第2章 阳极氧化制备表面纳米多孔活性层Mo箔的工艺研究 | 第23-41页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 实验原料及设备 | 第24-25页 |
| 2.3 实验装置 | 第25页 |
| 2.4 Mo箔的前处理 | 第25-26页 |
| 2.5 Na F体系阳极氧化工艺研究 | 第26-29页 |
| 2.5.1 Na F体系阳极氧化工艺参数 | 第26-27页 |
| 2.5.2 Na F体系阳极氧化后Mo箔表面显微结构表征 | 第27-28页 |
| 2.5.3 结果与讨论 | 第28-29页 |
| 2.6 HF体系阳极氧化研究 | 第29-33页 |
| 2.6.1 实验方案设计 | 第29-30页 |
| 2.6.2 电解液的配制 | 第30页 |
| 2.6.3 结果与讨论 | 第30-33页 |
| 2.7 NH4F体系阳极氧化研究 | 第33-36页 |
| 2.7.1 实验方案设计 | 第33页 |
| 2.7.2 电解液配制 | 第33页 |
| 2.7.3 结果与讨论 | 第33-36页 |
| 2.8 最佳阳极氧化工艺研究 | 第36-39页 |
| 2.8.1 实验方案设计 | 第36页 |
| 2.8.2 结果与讨论 | 第36-39页 |
| 2.9 本章小结 | 第39-41页 |
| 第3章 Mo箔表面纳米多孔活性层的脱氧工艺研究 | 第41-49页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 实验方案设计 | 第41-42页 |
| 3.3 表面活性测试 | 第42-43页 |
| 3.3.1 表面活性测试方法概述 | 第42页 |
| 3.3.2 电化学测试方法 | 第42-43页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第43-47页 |
| 3.4.1 氢气还原退火温度对Mo箔表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| 3.4.2 氢气还原退火后Mo箔表面EDS分析 | 第44-45页 |
| 3.4.3 电化学性能测试 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 基于表面纳米多孔活性层的Mo/Pt/Ag层状复合材料制备研究 | 第49-69页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 实验原料和设备 | 第50-52页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第50-51页 |
| 4.2.2 实验设备 | 第51-52页 |
| 4.3 实验方案设计 | 第52页 |
| 4.4 实验装置 | 第52-53页 |
| 4.5 基于表面纳米多孔活性层Mo箔的Mo/Pt层状复合材料的制备及表征 | 第53-59页 |
| 4.5.1 Mo/Pt层状复合材料的制备 | 第53-56页 |
| 4.5.2 基于纳米多孔活性层Mo箔的Mo/Pt层状复合材料的结构和成分表征 | 第56-57页 |
| 4.5.3 结果与讨论 | 第57-59页 |
| 4.6 基于表面纳米多孔活性层Mo的Mo/Pt/Ag层状复合材料的制备及表征 | 第59-66页 |
| 4.6.1 Mo/Pt/Ag层状复合材料的制备 | 第59-62页 |
| 4.6.2 表征和分析方法 | 第62-63页 |
| 4.6.3 结果与讨论 | 第63-66页 |
| 4.7 本章小结 | 第66-69页 |
| 第5章 全文结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
