摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
第1章 绪论 | 第13-43页 |
1.1 硬盘的介绍 | 第13-17页 |
1.1.1 硬盘存储的特点 | 第13-16页 |
1.1.2 硬盘的历史 | 第16-17页 |
1.2 硬盘的主要组成 | 第17-22页 |
1.2.1 磁头和盘片 | 第18-21页 |
1.2.2 定位驱动机构 | 第21-22页 |
1.3 硬盘的数据访问 | 第22-25页 |
1.3.1 磁道与扇区 | 第22-24页 |
1.3.2 寻道和磁道跟踪 | 第24-25页 |
1.4 硬盘的发展趋势 | 第25-38页 |
1.4.1 面存储密度 | 第25-26页 |
1.4.2 磁记录新技术 | 第26-38页 |
1.4.3 面临的问题 | 第38页 |
1.5 国内外研究现状 | 第38-40页 |
1.5.1 硬盘悬臂梁振动及其抑制的研究 | 第38-39页 |
1.5.2 寻道运动对磁头动态特性的影响研究 | 第39页 |
1.5.3 硬盘内部颗粒运动轨迹的研究 | 第39-40页 |
1.6 论文的研究意义及其结构 | 第40-43页 |
1.6.1 论文的研究意义 | 第40-41页 |
1.6.2 论文的结构 | 第41-43页 |
第2章 磁头超微振动特性及基于声压的硬盘磁头超微振动的主动抑制 | 第43-86页 |
2.1 磁头超微振动的原因 | 第43-54页 |
2.2 磁头超微振动的抑制方法 | 第54-56页 |
2.2.1 被动的抑制方法 | 第54-55页 |
2.2.2 主动的抑制方法 | 第55-56页 |
2.3 基于声压主动抑制磁头超微振动的模型 | 第56-70页 |
2.3.1 反馈控制理论模型 | 第56-57页 |
2.3.2 流-固-声-压电多物理场耦合仿真模型 | 第57-70页 |
2.4 流-固-声-压电多物理场耦合仿真计算结果 | 第70-84页 |
2.4.1 内部流场和悬臂梁的流致振动仿真结果 | 第70-78页 |
2.4.2 PZT引起悬臂梁的声致振动仿真结果 | 第78-83页 |
2.4.3 悬臂梁的流致振动与声致振动的叠加 | 第83-84页 |
2.5 本章小结 | 第84-86页 |
第3章 寻道运动对磁头定位精度的影响 | 第86-103页 |
3.1 硬盘寻道运动特点 | 第86-88页 |
3.2 硬盘寻道定位的工作模式及误差 | 第88-90页 |
3.3 基于动网格和流固耦合方法模拟寻道运动中磁头的振动 | 第90-93页 |
3.3.1 运用CFD三维动网格方法模拟硬盘寻道运动 | 第90-93页 |
3.3.2 运用流-固耦合方法模拟寻道运动后的磁头振动 | 第93页 |
3.4 寻道运动后磁头的振动 | 第93-101页 |
3.4.1 寻道运动后磁头沿水平方向振动的峰-峰值小于6.3 nm所需的时间 | 第94-97页 |
3.4.2 寻道运动后磁头沿水平方向的振动谱 | 第97-101页 |
3.5 本章小结 | 第101-103页 |
第4章 吸附条件及温度对硬盘内部颗粒运动轨迹的影响 | 第103-128页 |
4.1 硬盘内部颗粒的产生及危害 | 第103-104页 |
4.2 硬盘内部颗粒运动轨迹的研究 | 第104页 |
4.3 硬盘壁面的吸附条件对颗粒运动轨迹的影响 | 第104-117页 |
4.3.1 吸附条件的建立 | 第104-106页 |
4.3.2 颗粒运动的仿真条件 | 第106-109页 |
4.3.3 考虑吸附条件时硬盘内部颗粒的运动轨迹 | 第109-117页 |
4.4 硬盘内部温度场对颗粒运动轨迹的影响 | 第117-127页 |
4.4.1 仿真条件 | 第117-118页 |
4.4.2 硬盘内部温度场和流场 | 第118-120页 |
4.4.3 考虑温度时硬盘内部颗粒的运动轨迹 | 第120-127页 |
4.5 本章小结 | 第127-128页 |
第5章 寻道运动对硬盘内部颗粒运动轨迹的影响 | 第128-139页 |
5.1 硬盘寻道运动中颗粒轨迹 | 第128页 |
5.2 运用CFD三维动网格方法模拟硬盘寻道运动 | 第128-131页 |
5.3 硬盘寻道过程中气流场的动态特性 | 第131-134页 |
5.4 硬盘寻道运动对颗粒运动轨迹的影响 | 第134-138页 |
5.4.1 空气硬盘中颗粒的运动轨迹 | 第134-136页 |
5.4.2 氦气硬盘中颗粒的运动轨迹 | 第136-138页 |
5.5 本章小结 | 第138-139页 |
第6章 总结与展望 | 第139-142页 |
6.1 总结 | 第139-140页 |
6.2 展望 | 第140-142页 |
参考文献 | 第142-148页 |
附录 | 第148-152页 |
致谢 | 第152-153页 |