3D NAND FLASH结构与擦写特性仿真研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1.绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 非易失性存储器 | 第10-11页 |
| 1.3 闪存的工作原理 | 第11-12页 |
| 1.4 闪存的构架 | 第12-13页 |
| 1.5 闪存发展的瓶颈与未来 | 第13-17页 |
| 1.6 本文的主要内容及其安排 | 第17-18页 |
| 2 3DNANDFLASH和存储器可靠性 | 第18-26页 |
| 2.1 3DNANDFlash | 第18-23页 |
| 2.2 存储器可靠性 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 双栅和环栅器件及其组合电容模型 | 第26-35页 |
| 3.1 平面电容模型MATLAB计算 | 第26-30页 |
| 3.2 组合结构电容模型MATLAB计算 | 第30-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 4.双栅和环栅器件编程和擦除模型仿真 | 第35-48页 |
| 4.1 SilvacoTCAD | 第35-37页 |
| 4.2 器件建模 | 第37-47页 |
| 4.2.1 双栅结构器件三维模型 | 第37-41页 |
| 4.2.2 环栅结构器件三维模型 | 第41-43页 |
| 4.2.3 多个双栅结构组合模型 | 第43-45页 |
| 4.2.4 多个环栅结构组合模型 | 第45-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 5.三维存储工艺仿真 | 第48-53页 |
| 5.1 SEMulator3D介绍 | 第48-49页 |
| 5.2 三维存储器制造工艺仿真和电容计算 | 第49-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 6 总结与展望 | 第53-56页 |
| 6.1 总结 | 第53-54页 |
| 6.2 展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
