| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第14-15页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第14页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第14-15页 |
| 1.4 论文组织 | 第15-16页 |
| 第2章 振荡器相关理论 | 第16-30页 |
| 2.1 振荡器简介 | 第16-17页 |
| 2.1.1 正反馈系统分析 | 第16-17页 |
| 2.1.2 负阻电路分析 | 第17页 |
| 2.2 常见的LC-VCO结构介绍 | 第17-21页 |
| 2.2.1 单交叉耦合结构 | 第18-19页 |
| 2.2.2 电阻和NMOS晶体管构成放大器的LC-VCO | 第19-20页 |
| 2.2.3 互补型交叉耦合结构 | 第20-21页 |
| 2.3 振荡器的主要性能参数 | 第21-23页 |
| 2.4 振荡器相位噪声分析 | 第23-29页 |
| 2.4.1 相位噪声概述 | 第23-24页 |
| 2.4.2 相位噪声分析模型 | 第24-29页 |
| 2.4.3 LC-VCO相位噪声分析 | 第29页 |
| 2.5 本章总结 | 第29-30页 |
| 第3章 SOI工艺及电路器件的选择 | 第30-40页 |
| 3.1 SOI工艺简介 | 第30-31页 |
| 3.2 LC-VCO电路设计 | 第31-33页 |
| 3.2.1 LC-VCO核心电路结构 | 第31页 |
| 3.2.2 电感的选择 | 第31-32页 |
| 3.2.3 变容管的选择 | 第32-33页 |
| 3.2.4 交叉耦合对的选择 | 第33页 |
| 3.3 LC-VCO初步设计电路 | 第33-39页 |
| 3.3.1 电感参数的确定 | 第34-36页 |
| 3.3.2 开关电容阵列的选择 | 第36-38页 |
| 3.3.3 偏置电路的选择 | 第38-39页 |
| 3.3.4 MOS晶体管尺寸确定 | 第39页 |
| 3.4 本章总结 | 第39-40页 |
| 第4章 LC-VCO电路优化与前仿真 | 第40-64页 |
| 4.1 LC-VCO电路优化 | 第40-44页 |
| 4.1.1 相位噪声优化 | 第40-42页 |
| 4.1.2 调谐范围设计 | 第42页 |
| 4.1.3 调谐电压设计 | 第42-43页 |
| 4.1.4 输出缓冲电路的设计 | 第43-44页 |
| 4.1.5 ESD保护电路设计 | 第44页 |
| 4.1.6 LC-VCO电路总体方案 | 第44页 |
| 4.1.7 电路器件参数汇总 | 第44页 |
| 4.2 VCO的前仿真结果与分析 | 第44-62页 |
| 4.2.1 TT工艺角前仿真结果 | 第46-52页 |
| 4.2.2 FF工艺角前仿真 | 第52-57页 |
| 4.2.3 SS工艺角前仿真 | 第57-62页 |
| 4.3 前仿真结果分析 | 第62页 |
| 4.4 本章总结 | 第62-64页 |
| 第5章 LC-VCO后仿真与测试方案 | 第64-86页 |
| 5.1 版图设计 | 第64-66页 |
| 5.1.1 版图对称性 | 第64页 |
| 5.1.2 寄生参数 | 第64-65页 |
| 5.1.3 线电流密度 | 第65页 |
| 5.1.4 天线效应 | 第65-66页 |
| 5.2 LC-VCO版图设计 | 第66-67页 |
| 5.3 电路后仿真结果与分析 | 第67-82页 |
| 5.3.1 TT工艺角后仿真结果与分析 | 第67-72页 |
| 5.3.2 FF工艺角后仿真 | 第72-76页 |
| 5.3.3 SS工艺角后仿真 | 第76-81页 |
| 5.3.4 后仿真结果分析 | 第81-82页 |
| 5.4 VCO测试方案 | 第82-84页 |
| 5.4.1 测试仪器 | 第82页 |
| 5.4.2 压控振荡器引脚说明 | 第82-83页 |
| 5.4.3 直流工作点测试 | 第83页 |
| 5.4.4 瞬态输出波形测试 | 第83-84页 |
| 5.4.5 调谐曲线和相位噪声测试 | 第84页 |
| 5.5 本章总结 | 第84-86页 |
| 第6章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 6.1 工作总结 | 第86-87页 |
| 6.2 工作展望 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 致谢 | 第92-94页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第94页 |