| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-37页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 过渡金属硫属化合物基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 二维过渡金属硫属化合物的制备方法 | 第13-23页 |
| 1.3.1 剥离法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 插层法 | 第14-16页 |
| 1.3.3 胶体法 | 第16-17页 |
| 1.3.4 物理气相沉积(PVD) | 第17-18页 |
| 1.3.5 化学气相沉积(CVD) | 第18-23页 |
| 1.4 二维过渡金属硫属化合物的应用 | 第23-27页 |
| 1.4.1 电子和光电器件 | 第23-24页 |
| 1.4.2 传感装置 | 第24-25页 |
| 1.4.3 能量存储装置 | 第25-26页 |
| 1.4.4 谷电子学 | 第26-27页 |
| 1.5 论文研究的选题背景主要内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-37页 |
| 第二章 实验表征方法 | 第37-41页 |
| 2.1 显微技术 | 第37-38页 |
| 2.1.1 光学显微镜 | 第37页 |
| 2.1.2 原子力显微镜 | 第37-38页 |
| 2.1.3 电子显微镜 | 第38页 |
| 2.2 拉曼光谱和拉曼成像 | 第38-39页 |
| 2.3 光致发光谱 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 碲协助法制备二维过渡金属硫属化合物合金及异质结 | 第41-50页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 实验部分 | 第42页 |
| 3.2.1 制备方法 | 第42页 |
| 3.2.2 测试仪器 | 第42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-47页 |
| 3.3.1 实验原理 | 第42-43页 |
| 3.3.2 WS_2/MoS_2垂直异质结的制备及表征 | 第43-44页 |
| 3.3.3 Mo_(1-x)W_xS_2合金的制备及表征 | 第44-45页 |
| 3.3.4 中间产物Mo_(1-x)W_xS_2-WS_2/MoS_2的制备及表征 | 第45-46页 |
| 3.3.5 结果讨论 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 过渡金属掺杂大面积双层二硫化钼的制备及磁性研究 | 第50-59页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50-52页 |
| 4.2.1 钴掺杂三氧化钼前驱体的制备 | 第50-51页 |
| 4.2.2 二硫化钼薄膜的制备 | 第51页 |
| 4.2.3 薄膜转移 | 第51页 |
| 4.2.4 测试仪器 | 第51-52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-56页 |
| 4.3.1 不同生长条件对薄膜制备的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.2 钴掺杂双层二硫化钼薄膜的表征及磁性测试 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 5.1 总结 | 第59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第61页 |
