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平行光注入垂直腔面发射激光器的偏振态双稳特性研究

摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第1章 绪论第10-18页
    1.1 引言第10页
    1.2 半导体激光器第10-14页
        1.2.1 半导体激光器的发展第10-11页
        1.2.2 两类发射方式的半导体激光器第11-13页
        1.2.3 半导体激光器的相关应用第13-14页
    1.3 半导体激光器的偏振特性第14-16页
        1.3.1 边发射激光器(EEL)的偏振特性第15页
        1.3.2 垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振特性第15-16页
    1.4 VCSEL偏振特性的研究现状第16-17页
    1.5 本文研究内容及意义第17-18页
第2章 VCSEL的基本理论和相关特性第18-26页
    2.1 引言第18页
    2.2 VCSEL的理论模型第18-20页
        2.2.1 自旋反转模型的速率方程第18-19页
        2.2.2 无量纲模型的速率方程第19-20页
    2.3 光注入VCSEL的相关特性第20-25页
        2.3.1 注入锁定特性第21-22页
        2.3.2 开关特性第22-24页
        2.3.3 双稳特性第24-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第3章 平行光注入VCSEL的偏振态双稳特性理论仿真第26-34页
    3.1 引言第26页
    3.2 理论模型第26-27页
    3.3 理论结果与讨论第27-32页
        3.3.1 沿不同路径变化注入强度产生的态双稳第28-31页
        3.3.2 沿不同路径变化频率失谐产生的态双稳第31-32页
    3.4 本章小结第32-34页
第4章 平行光注入VCSEL的偏振态双稳特性实验探索第34-41页
    4.1 引言第34页
    4.2 实验装置第34-35页
    4.3 实验结果与讨论第35-40页
        4.3.1 自由运行VCSEL的输出特性第35-36页
        4.3.2 沿不同路径变化注入强度产生的态双稳第36-40页
    4.4 本章小结第40-41页
第5章 结束语第41-43页
参考文献第43-52页
致谢第52-53页
攻读硕士期间发表的论文第53页

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