| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 量子霍尔效应简介与发展 | 第10-15页 |
| 1.1.1 整数量子霍尔效应 | 第11-12页 |
| 1.1.2 分数量子霍尔效应 | 第12-13页 |
| 1.1.3 量子自旋霍尔效应与量子反常霍尔效应 | 第13-15页 |
| 1.2 拓扑绝缘体 | 第15-19页 |
| 1.2.1 二维拓扑绝缘体 | 第15-17页 |
| 1.2.2 三维拓扑绝缘体 | 第17-19页 |
| 1.3 Bi基拓扑绝缘体的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 第一性原理简介和相关软件介绍 | 第20-23页 |
| 1.4.1 VASP程序包 | 第21页 |
| 1.4.2 MaterialsStudio简介 | 第21-23页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容与结构 | 第23-24页 |
| 1.5.1 论文内容 | 第23页 |
| 1.5.2 论文结构 | 第23-24页 |
| 第2章 相关理论介绍 | 第24-34页 |
| 2.1 密度泛函理论简介 | 第24-29页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第24-25页 |
| 2.1.2 单电子近似 | 第25-26页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第26页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.1.5 交换相关能量泛函 | 第27-28页 |
| 2.1.6 密度泛函理论的研究进展 | 第28-29页 |
| 2.2 能带计算方法 | 第29-32页 |
| 2.2.1 平面波方法 | 第30-31页 |
| 2.2.2 紧束缚近似方法 | 第31页 |
| 2.2.3 正交化平面波方法 | 第31页 |
| 2.2.4 赝势方法 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 Bi_(1-x)Sb_x的电子结构与电场行为研究 | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 Bi_(1-x)Sb_x模型晶胞的建立与结构优化 | 第34-37页 |
| 3.3 Sb含量对Bi_(1-x)Sb_x电子结构的影响 | 第37-39页 |
| 3.4 电场对Bi_(1-x)Sb_x电子结构的影响 | 第39-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 Bi_2Se_3类拓扑材料的电子结构与电场行为研究 | 第44-70页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 Bi_2Se_3的电子结构与电场行为研究 | 第44-52页 |
| 4.2.1 单QL结构的Bi_2Se_3的电子结构 | 第46-49页 |
| 4.2.2 电场对Bi_2Se_3电子结构的影响 | 第49-52页 |
| 4.3 (Bi_(0.5)Sb_(0.5))_2Se_3电子结构与电场行为研究 | 第52-59页 |
| 4.3.1 (Bi_(0.5)Sb_(0.5))_2Se_3的电子结构 | 第52-56页 |
| 4.3.2 电场对(Bi_(0.5)Sb_(0.5))_2Se_3电子结构的影响 | 第56-59页 |
| 4.4 Bi_2Te_2Se的电子结构与电场行为研究 | 第59-67页 |
| 4.4.1 Bi_2Te_2Se的电子结构 | 第60-64页 |
| 4.4.2 电场对Bi_2Te_2Se电子结构的影响 | 第64-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
