| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 MoS_2的结构、性质及应用 | 第11-14页 |
| 1.2.1 MoS_2的结构 | 第11-13页 |
| 1.2.2 MoS_2的性质及应用 | 第13-14页 |
| 1.3 聚硅烷的结构、性质及应用 | 第14-15页 |
| 1.3.1 聚硅烷的结构 | 第14-15页 |
| 1.3.2 聚硅烷的性质及应用 | 第15页 |
| 1.4 黑磷的结构、性质及应用 | 第15-19页 |
| 1.4.1 黑磷的结构 | 第16-17页 |
| 1.4.2 黑磷的性质及应用 | 第17-19页 |
| 1.5 场效应晶体管 | 第19-20页 |
| 1.6 柔性电子器件 | 第20页 |
| 1.7 本文研究的目的及内容 | 第20-21页 |
| 1.8 课题来源 | 第21-22页 |
| 第2章 理论基础 | 第22-29页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 第一性原理 | 第22-25页 |
| 2.2.1 多体的薛定谔方程 | 第22-23页 |
| 2.2.2 绝热近似 | 第23-24页 |
| 2.2.3 Hartree-Fock近似 | 第24-25页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第25-26页 |
| 2.3.1 Kohn-Sham方程 | 第25页 |
| 2.3.2 交换关联泛函 | 第25-26页 |
| 2.4 非平衡格林函数 | 第26-28页 |
| 2.5 Nanodcal、VASP程序包 | 第28-29页 |
| 第3章 表面钝化及掺杂对MoS_2电子结构的影响 | 第29-34页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 模型与计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-33页 |
| 3.3.1 MoS_2能带结构的对比 | 第30-31页 |
| 3.3.2 表面钝化及VCA掺杂对MoS_2NR电子结构的影响 | 第31-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 聚硅烷对N/P型MoS_2场效应晶体管的调控 | 第34-45页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 模型与计算方法 | 第34-35页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第35-44页 |
| 4.3.1 T-Vg曲线分析 | 第35-37页 |
| 4.3.2 散射态的分析 | 第37-40页 |
| 4.3.3 势分布的分析 | 第40-42页 |
| 4.3.4 电荷分布的分析 | 第42-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 柔性全黑磷电子器件输运性质的应力调控 | 第45-56页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 模型与计算方法 | 第45-47页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第47-54页 |
| 5.3.1 电导曲线分析 | 第47-48页 |
| 5.3.2 局域态密度分析 | 第48-49页 |
| 5.3.3 透射谱分析 | 第49-51页 |
| 5.3.4 散射态分析 | 第51-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |