摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-22页 |
1.1 选课背景 | 第11页 |
1.2 聚硅烷的简介 | 第11-16页 |
1.2.1 聚硅烷的结构 | 第12页 |
1.2.2 聚硅烷的性质 | 第12-14页 |
1.2.3 聚硅烷的合成方法 | 第14-16页 |
1.2.4 聚硅烷的应用 | 第16页 |
1.3 二硫化钼的简介 | 第16-18页 |
1.3.1 二硫化钼的结构 | 第16-17页 |
1.3.2 二硫化钼的性质 | 第17页 |
1.3.3 二硫化钼的应用 | 第17-18页 |
1.4 二硫化钼的改性 | 第18-20页 |
1.4.1 二硫化钼剥层改性 | 第18页 |
1.4.2 二硫化钼夹层改性 | 第18-19页 |
1.4.3 二硫化钼接枝改性 | 第19-20页 |
1.5 国内外研究现状 | 第20-21页 |
1.5.1 聚硅烷研究现状 | 第20页 |
1.5.2 二硫化钼研究现状 | 第20页 |
1.5.3 二硫化钼复合材料研究现状 | 第20-21页 |
1.6 研究意义及主要研究内容 | 第21-22页 |
1.6.1 研究意义 | 第21页 |
1.6.2 主要研究内容 | 第21-22页 |
第2章 空位接枝法制备二硫化钼接枝聚硅烷及表征 | 第22-37页 |
2.1 实验仪器及试剂 | 第22-24页 |
2.2 含双键聚硅烷的制备 | 第24-26页 |
2.2.1 制备方法 | 第24页 |
2.2.2 实验流程 | 第24-25页 |
2.2.3 反应条件 | 第25-26页 |
2.3 含巯基聚硅烷(PSI-(CH_2)_6-SH)的制备 | 第26-27页 |
2.3.1 制备方法 | 第26-27页 |
2.3.2 光引发法制备PSI-(CH_2)_6-SH实验流程 | 第27页 |
2.3.3 热引发法制备PSI-(CH_2)_6-SH实验流程 | 第27页 |
2.4 单层二硫化钼的制备 | 第27-28页 |
2.4.1 制备方法 | 第27-28页 |
2.4.2 实验流程 | 第28页 |
2.5 单层二硫化钼接枝聚硅烷(MoS_2-g-PSI)的制备 | 第28-29页 |
2.5.1 制备方法 | 第28-29页 |
2.5.2 实验流程 | 第29页 |
2.6 接枝产品(MoS_2-g-PSI)的表征 | 第29-36页 |
2.6.1 红外表征 | 第29-30页 |
2.6.2 紫外表征 | 第30-32页 |
2.6.3 SEM及EDS表征 | 第32-33页 |
2.6.4 XPS表征 | 第33-36页 |
2.7 本章小结 | 第36-37页 |
第3章 共价接枝法制备二硫化钼接枝聚硅烷及表征 | 第37-51页 |
3.1 实验仪器及试剂 | 第37-38页 |
3.2 含氯聚硅烷(PSI-Cl)的制备 | 第38-41页 |
3.2.1 制备方法 | 第39页 |
3.2.2 实验流程 | 第39-40页 |
3.2.3 反应条件 | 第40-41页 |
3.3 单层二硫化钼的制备 | 第41页 |
3.4 单层二硫化钼接枝聚硅烷(MoS_2-PSI)的制备 | 第41-42页 |
3.4.1 制备方法 | 第41页 |
3.4.2 实验流程 | 第41-42页 |
3.5 接枝产品(MoS_2-PSI)的表征 | 第42-50页 |
3.5.1 红外表征 | 第42-43页 |
3.5.2 XRD表征 | 第43-45页 |
3.5.3 XPS表征 | 第45-48页 |
3.5.4 SEM及EDS表征 | 第48-49页 |
3.5.5 TEM表征 | 第49-50页 |
3.6 本章小结 | 第50-51页 |
第4章 结果分析与讨论 | 第51-56页 |
4.1 MoS_2-g-PSI的结果分析 | 第51-53页 |
4.1.1 含双键聚硅烷产率分析 | 第51-52页 |
4.1.2 MoS_2-g-PSI接枝率分析 | 第52页 |
4.1.3 电导率测试 | 第52-53页 |
4.2 MoS_2-PSI的结果分析 | 第53-55页 |
4.2.1 MoS_2-PSI接枝率分析 | 第53页 |
4.2.2 电导率测试 | 第53-55页 |
4.3 结果讨论 | 第55页 |
4.4 本章小节 | 第55-56页 |
结论 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-60页 |
攻读学位期间发表的学术论文和申请的专利 | 第60-61页 |
致谢 | 第61页 |