| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 论文背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第12-14页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第12-14页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第14页 |
| 1.4 论文组织 | 第14-16页 |
| 第二章 硅外延生长技术 | 第16-24页 |
| 2.1 硅外延生长概述 | 第16页 |
| 2.2 硅外延生长原理 | 第16-17页 |
| 2.3 硅外延生长分类 | 第17-19页 |
| 2.3.1 根据外延层生长性质 | 第17页 |
| 2.3.2 根据外延掺杂浓度 | 第17页 |
| 2.3.3 根据外延层的生长方法 | 第17页 |
| 2.3.4 根据向衬底输运外延材料的原子的方法 | 第17页 |
| 2.3.5 根据相变过程 | 第17-19页 |
| 2.4 外延的工艺过程 | 第19-20页 |
| 2.5 外延的化学反应 | 第20-22页 |
| 2.6 硅的气相外延 | 第22-24页 |
| 第三章 硅外延气相设备及其调节 | 第24-32页 |
| 3.1 硅外延气相设备分类 | 第24-25页 |
| 3.1.1 按容器形状分类 | 第24-25页 |
| 3.1.2 按加热方式分类 | 第25页 |
| 3.2 论文试验所用外延系统 | 第25-26页 |
| 3.3 硅外延气相设备各系统可靠稳定的工作与维护 | 第26-29页 |
| 3.4 硅外延气相设备的调节 | 第29-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 硅外延质量管控 | 第32-44页 |
| 4.1 硅外延层厚度的测量 | 第32-34页 |
| 4.2 外延层电阻率的测量 | 第34-39页 |
| 4.3 外延层缺陷分析和管控 | 第39-42页 |
| 4.3.1 外延宏观缺陷及其控制 | 第39-42页 |
| 4.3.2 内部结构缺陷 | 第42页 |
| 4.4 外延层质量管控实例 | 第42-43页 |
| 4.4.1 材料配置 | 第42页 |
| 4.4.2 电学参数测试 | 第42页 |
| 4.4.3 异常分析 | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 P型硅外延材料的工艺优化和产能提升 | 第44-60页 |
| 5.1 外延材料电阻率分布均匀问题 | 第44-48页 |
| 5.1.1 外延层中自掺杂分析 | 第44-45页 |
| 5.1.2 减少自掺杂影响的途径 | 第45-46页 |
| 5.1.3 改善电阻率分布工艺优化试验 | 第46-48页 |
| 5.2 外延材料厚度分布均匀问题 | 第48-53页 |
| 5.2.1 硅源流量对wafer内厚度分布均匀性的影响 | 第48-49页 |
| 5.2.2 生长温度对wafer内厚度分布均匀性的影响 | 第49页 |
| 5.2.3 主H_2流量对wafer内厚度分布均匀性的影响 | 第49页 |
| 5.2.4 改善厚度分布工艺优化试验 | 第49-53页 |
| 5.3 提升外延产品产能的工艺优化 | 第53-59页 |
| 5.3.1 衬底及外延参数优化 | 第53-54页 |
| 5.3.2 外延工艺优化方案 | 第54页 |
| 5.3.3 优化工艺程序 | 第54-57页 |
| 5.3.4 试验结果及讨论 | 第57-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 总结 | 第60-61页 |
| 6.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
