摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-27页 |
1.1 半导体光催化剂概述 | 第12-15页 |
1.1.1 光催化研究背景 | 第12-13页 |
1.1.2 光催化反应的基本原理 | 第13-14页 |
1.1.3 影响光催化反应活性的因素 | 第14-15页 |
1.2 光催化剂的研究现状 | 第15-22页 |
1.2.1 氧化物型光催化剂 | 第15-16页 |
1.2.2 硫化物型光催化剂 | 第16-21页 |
1.2.3 新型半导体光催化剂 | 第21-22页 |
1.3 光催化剂改性的常用方法 | 第22-26页 |
1.3.1 贵金属沉积 | 第22页 |
1.3.2 离子掺杂 | 第22-23页 |
1.3.3 半导体复合 | 第23-25页 |
1.3.4 固熔体技术改性 | 第25-26页 |
1.4 本论文的研究目的、意义和内容 | 第26-27页 |
1.4.1 论文的研究目的和意义 | 第26页 |
1.4.2 论文的研究内容 | 第26-27页 |
第二章 N 掺杂 ZnIn_2S_4光催化剂的制备及其催化性能 | 第27-38页 |
2.1 引言 | 第27-28页 |
2.2 实验部分 | 第28-30页 |
2.2.1 主要试剂 | 第28页 |
2.2.2 ZnIn_2S_4光催化剂的制备 | 第28-29页 |
2.2.3 N-ZnIn_2S_4光催化剂的制备 | 第29页 |
2.2.4 N-ZnIn_2S_4光催化剂的表征 | 第29页 |
2.2.5 N-ZnIn_2S_4光催化剂活性评价 | 第29-30页 |
2.3 结果与讨论 | 第30-37页 |
2.3.1 XRD 晶相分析 | 第30-31页 |
2.3.2 SEM 形貌分析 | 第31-32页 |
2.3.3 UV-Vis 谱图分析 | 第32-33页 |
2.3.4 XPS 谱图分析 | 第33-34页 |
2.3.5 N-ZnIn_2S_4光催化分解染料性能 | 第34-36页 |
2.3.6 N 掺杂提高 ZnIn_2S_4光催化活性机理 | 第36-37页 |
2.4 本章小结 | 第37-38页 |
第三章 核-壳型 TiO_2@ZnIn_2S_4光催化剂的制备及其催化性能 | 第38-47页 |
3.1 引言 | 第38-39页 |
3.2 实验部分 | 第39-41页 |
3.2.1 主要试剂 | 第39页 |
3.2.2 核-壳型 TiO_2@ZnIn_2S_4光催化剂的制备 | 第39-40页 |
3.2.3 TiO_2@ZnIn_2S_4光催化剂的表征 | 第40页 |
3.2.4 光催化反应测试 | 第40-41页 |
3.3 结果与讨论 | 第41-45页 |
3.3.1 XRD 晶相分析 | 第41-42页 |
3.3.2 UV-Vis 图谱分析 | 第42-43页 |
3.3.3 TEM 微结构分析 | 第43-44页 |
3.3.4 光催化降解 MB 活性测试 | 第44-45页 |
3.3.5 TiO_2@ZnIn_2S_4复合光催化剂提高催化活性机理分析 | 第45页 |
3.4 本章小结 | 第45-47页 |
第四章 CuO 负载 ZnIn_2S_4光催化剂的制备及其催化性能 | 第47-56页 |
4.1 引言 | 第47页 |
4.2 实验部分 | 第47-49页 |
4.2.1 主要试剂 | 第47-48页 |
4.2.2 CuO/ZnIn_2S_4光催化剂的制备 | 第48页 |
4.2.3 CuO/ZnIn_2S_4光催化剂的表征 | 第48页 |
4.2.4 光催化反应活性评价 | 第48-49页 |
4.3 结果与讨论 | 第49-55页 |
4.3.1 XRD 晶相分析 | 第49-50页 |
4.3.2 SEM 形貌分析 | 第50-51页 |
4.3.3 UV-Vis 图谱分析 | 第51-52页 |
4.3.4 BET 比表面积分析 | 第52-53页 |
4.3.5 CuO/ZnIn_2S_4光催化降解 MB 测试 | 第53-54页 |
4.3.6 机理分析 | 第54-55页 |
4.4 本章小结 | 第55-56页 |
结论与展望 | 第56-58页 |
结论 | 第56-57页 |
展望 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-67页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
致谢 | 第68-69页 |
答辩委员会对论文的评定意见 | 第69页 |