| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 碳化硅功率器件的发展 | 第9-11页 |
| 1.2.2 功率器件并联均流影响因素 | 第11页 |
| 1.2.3 并联功率模块均流改进方法 | 第11-13页 |
| 1.3 课题研究内容及章节安排 | 第13-16页 |
| 2 SiC MOSFET特性建模 | 第16-30页 |
| 2.1 SiC MOSFET的基本结构 | 第16页 |
| 2.2 SiC MOSFET的静态特性 | 第16-19页 |
| 2.2.1 直流特性 | 第17-18页 |
| 2.2.2 交流特性 | 第18-19页 |
| 2.3 SiC MOSFET的开关特性 | 第19-21页 |
| 2.4 SiC MOSFET建模 | 第21-29页 |
| 2.4.1 静态特性建模 | 第21-24页 |
| 2.4.2 动态特性建模 | 第24-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 并联驱动电路的设计与实现 | 第30-40页 |
| 3.1 Si功率MOSFET驱动电路与SiIGBT驱动电路 | 第30-32页 |
| 3.2 SiC MOSFET驱动特性分析 | 第32页 |
| 3.3 SiC MOSFET驱动电路 | 第32-37页 |
| 3.3.1 驱动电压选取 | 第32-34页 |
| 3.3.2 栅极驱动电阻选取 | 第34-35页 |
| 3.3.3 驱动电流设计 | 第35-36页 |
| 3.3.4 驱动功率设计 | 第36-37页 |
| 3.4 驱动信号隔离 | 第37页 |
| 3.5 驱动信号预处理 | 第37-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 SiC MOSFET并联均流方案的研究与设计 | 第40-56页 |
| 4.1 器件分散性分析 | 第40-41页 |
| 4.2 功率回路参数影响 | 第41-43页 |
| 4.2.1 漏极寄生电感差异的影响 | 第42页 |
| 4.2.2 源极寄生电感差异的影响 | 第42-43页 |
| 4.3 驱动回路参数影响 | 第43-46页 |
| 4.3.1 栅极驱动电阻差异的影响 | 第43-44页 |
| 4.3.2 栅极寄生电感差异的影响 | 第44页 |
| 4.3.3 栅源极电压差异的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.4 栅源极电容差异的影响 | 第45-46页 |
| 4.4 器件温度差异的影响 | 第46-48页 |
| 4.5 并联均流方案设计 | 第48-54页 |
| 4.5.1 器件的选型 | 第48页 |
| 4.5.2 驱动回路的对称性设计 | 第48页 |
| 4.5.3 功率回路的阻抗与寄生参数的对称性 | 第48-49页 |
| 4.5.4 栅极电阻补偿联合耦合电感均流法设计 | 第49-52页 |
| 4.5.5 均流方法仿真分析 | 第52-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 5 实验验证与分析 | 第56-68页 |
| 5.1 双脉冲实验 | 第56-59页 |
| 5.2 并联均流实验 | 第59-66页 |
| 5.2.1 器件分散性影响均流实验 | 第59-61页 |
| 5.2.2 漏极电感影响均流实验 | 第61-62页 |
| 5.2.3 驱动回路影响均流实验 | 第62-65页 |
| 5.2.4 均流实验结果与分析 | 第65-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 6 总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 工作总结 | 第68页 |
| 6.2 展望未来 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文、科研及获奖情况 | 第76页 |
| 会议论文 | 第76页 |
| 参与的科研与教学工作 | 第76页 |
| 获奖情况 | 第76页 |