| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2.1 纳米电介质界面特性 | 第11-13页 |
| 1.2.2 纳米粒子表面改性 | 第13-14页 |
| 1.2.3 变频电机绝缘失效机理 | 第14-15页 |
| 1.2.4 聚酰亚胺纳米复合电介质 | 第15-17页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 纳米Al_2O_3表面改性及PI复合薄膜制备 | 第18-29页 |
| 2.1 PI/Al_2O_3薄膜制备方法与试验平台 | 第18-22页 |
| 2.1.1 PI/Al_2O_3薄膜制备方法 | 第18-19页 |
| 2.1.2 等离子体改性纳米粒子试验平台 | 第19-20页 |
| 2.1.3 PI/Al_2O_3薄膜制备仪器与材料 | 第20-22页 |
| 2.2 PI/Al_2O_3薄膜制备 | 第22-25页 |
| 2.2.1 纳米Al_2O_3表面改性 | 第22-23页 |
| 2.2.2 PI/Al_2O_3薄膜制备 | 第23-25页 |
| 2.3 PI/Al_2O_3薄膜结构表征 | 第25-28页 |
| 2.3.1 PI/Al_2O_3薄膜微观形貌 | 第25-26页 |
| 2.3.2 PI/Al_2O_3薄膜化学结构 | 第26-27页 |
| 2.3.3 PI/Al_2O_3薄膜介电性能 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 纳米粒子改性对PI/Al_2O_3薄膜陷阱特性影响 | 第29-40页 |
| 3.1 PI/Al_2O_3薄膜陷阱特性 | 第29-34页 |
| 3.1.1 热刺激电流基本理论 | 第29-31页 |
| 3.1.2 测试原理与试验方法 | 第31-32页 |
| 3.1.3 PI/Al_2O_3薄膜陷阱分布特性 | 第32-34页 |
| 3.2 PI/Al_2O_3薄膜空间电荷特性 | 第34-36页 |
| 3.2.1 测试原理与试验方法 | 第34-35页 |
| 3.2.2 PI/Al_2O_3薄膜空间电荷特性 | 第35-36页 |
| 3.3 纳米粒子改性对PI/Al_2O_3薄膜陷阱特性影响机理 | 第36-39页 |
| 3.3.1 纳米粒子表面化学键 | 第36-38页 |
| 3.3.2 PI/Al_2O_3薄膜界面特性 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 纳米粒子改性对PI/Al_2O_3薄膜耐电晕特性影响 | 第40-50页 |
| 4.1 PI/Al_2O_3薄膜耐电晕寿命特性 | 第40-42页 |
| 4.1.1 测试原理与试验方法 | 第40-41页 |
| 4.1.2 PI/Al_2O_3薄膜耐电晕寿命特性 | 第41-42页 |
| 4.2 电晕老化对PI/Al_2O_3薄膜损伤过程 | 第42-46页 |
| 4.2.1 电晕老化对薄膜介电性能影响 | 第42-43页 |
| 4.2.2 电晕老化对薄膜陷阱特性影响 | 第43-45页 |
| 4.2.3 电晕老化对薄膜化学结构影响 | 第45-46页 |
| 4.3 纳米粒子改性对PI/Al_2O_3薄膜耐电晕特性影响分析 | 第46-49页 |
| 4.3.1 纳米粒子改性对PI/Al_2O_3薄膜电晕老化过程影响 | 第46-47页 |
| 4.3.2 纳米粒子改性对PI/Al_2O_3薄膜耐电晕寿命影响 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第57-59页 |
